DF08S-E3/I (BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A DFS)
Доставка DF08S-E3/I по России Диоды — выпрямители — мостовые DF08S-E3/I Vishay Semiconductor Diodes Division в нашем каталоге. В наличии DF08S-E3/I с доставкой по всей России через транспортные компании. Срок от 7 дней. (BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A DFS).
DF08S-E3/I характеристики
| Производитель | Vishay Semiconductor Diodes Division |
|---|---|
| Серия | - |
| Part Status | Active |
| Вид монтажа | Surface Mount |
| Корпус | 4-SMD |
| Gull Wing | Технология |
| Standard | Рабочая температура |
| -55°C ~ 150°C (TJ) | Исполнение корпуса |
| DFS | Тип диода |
| Single Phase | Обратное Напряжение (Макс) |
| 800V | Cреднее значение выпрямленного тока (Io) |
| 1A | Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If |
| 1.1V @ 1A | Ток утечки при Обратном напряжении (Vr) |
Рекомендации по подбору
При замене мостового выпрямителя DF08S-E3/I (800 В, 1 А, корпус DFS) необходимо проверить соответствие аналога по электрическим и монтажным параметрам. Несовпадение хотя бы по одному критическому показателю может привести к отказу устройства.
Основные критерии выбора: максимальное обратное напряжение (не ниже 800 В), средний выпрямленный ток (не менее 1 А), прямое падение напряжения при номинальном токе (≤1,1 В), а также температурный диапазон (-55…+150 °C) и тип корпуса (4-SMD с Gull Wing).
- Проверка корпуса и выводов: аналог должен иметь совместимый корпус DFS или эквивалентный с тем же расположением выводов. Использование другого типоразмера может потребовать переработки печатной платы.
- Учёт импульсных характеристик: для работы в цепях с пусковыми токами или резкими скачками напряжения убедитесь, что пиковое обратное напряжение (Vrrm) аналога не ниже 800 В, а допустимый импульсный ток (Ifsm) достаточен для вашей нагрузки.
- Тепловой режим: оцените тепловое сопротивление переход-корпус и возможность установки радиатора. Для SMD-компонентов в корпусе DFS теплоотвод часто ограничен, поэтому при высокой мощности рассеяния выбирайте модели с меньшим Vf или лучшей теплопроводностью подложки.
- Риски при замене: игнорирование различий в технологии (стандартный кремний vs. быстродействующие диоды) может вызвать повышенное электромагнитное излучение или нагрев. Всегда сверяйте даташит производителя и проводите испытания в составе схемы.
Похожие товары
LLSD103B-13 (DIODE SCHOTTKY 30V 350MA MINMELF)
Категория:
Дискретные полупроводники
Заказать
DPG60IM400QB (DIODE GEN PURP 400V 60A TO3P)
Категория:
Дискретные полупроводники
896.40
₽
Заказать
1N4005GL-T (DIODE GEN PURP 600V 1A DO41)
Категория:
Дискретные полупроводники
Заказать
83CNQ100SL (DIODE SCHOTTKY 100V 40A PRM2-SL)
Категория:
Дискретные полупроводники
5992.80
₽
Заказать