+7(916) 225-43-02

DDB6U85N16LHOSA1 (IGBT MODULE 1600V 60A)

DDB6U85N16LHOSA1 (IGBT MODULE 1600V 60A)
Дискретные полупроводники Диоды — выпрямители — наборы и массивы
Доставка DDB6U85N16LHOSA1 по России Диоды — выпрямители — наборы и массивы DDB6U85N16LHOSA1 Infineon Technologies в нашем каталоге. В наличии DDB6U85N16LHOSA1 с доставкой по всей России через транспортные компании. Цена от 41936.40 руб. Срок поставки уточняйте. (IGBT MODULE 1600V 60A).

DDB6U85N16LHOSA1 характеристики

ПроизводительInfineon Technologies
Серия-
Part StatusActive
Вид монтажаChassis Mount
КорпусModule
Исполнение корпусаModule
Тип диодаStandard
Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If1.44V @ 100A
Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)5mA @ 1600V
Конфигурация диода3 Independent
Максимальное обратное напряжение (Vr)1600V
Cреднее значение выпрямленного тока (Io) (на один диод)60A
СкоростьStandard Recovery >500ns
> 200mA (Io)Рабочая температура pn-прехода

Рекомендации по подбору

Силовой модуль DDB6U85N16LHOSA1 (Infineon Technologies) рассчитан на напряжение 1600 В и ток 60 А на диод. Конфигурация — три независимых диода стандартного восстановления в корпусе Module с креплением на шасси. Применяется в высоковольтных выпрямителях и преобразователях промышленного назначения.

Для подбора аналога проверьте три ключевых параметра:

  • Номинальное обратное напряжение (1600 В) и средний ток (60 А) — их превышение недопустимо.
  • Тип корпуса и способ монтажа (Chassis Mount) для совместимости с охлаждением и креплением.
  • Прямое падение напряжения (1,44 В при 100 А) и ток утечки (5 мА при 1600 В) — влияют на потери и нагрев.
  • Риски замены: другой корпус или тепловое сопротивление приводят к перегреву; отличающаяся скорость восстановления изменяет коммутационные потери.

Похожие товары