DB157G (DIODE BRIDGE 1000V 1.5A DB)
Доставка DB157G по России Диоды — выпрямители — мостовые DB157G GeneSiC Semiconductor в нашем каталоге. В наличии DB157G с доставкой по всей России через транспортные компании. Срок от 7 дней. (DIODE BRIDGE 1000V 1.5A DB).
DB157G характеристики
| Производитель | GeneSiC Semiconductor |
|---|---|
| Серия | - |
| Part Status | Active |
| Упаковка | Bulk |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Корпус | 4-EDIP (0.321 |
| 8.15mm) | Технология |
| Standard | Рабочая температура |
| -55°C ~ 150°C (TJ) | Исполнение корпуса |
| DB | Тип диода |
| Single Phase | Обратное Напряжение (Макс) |
| 1kV | Cреднее значение выпрямленного тока (Io) |
| 1.5A | Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If |
| 1.1V @ 1.5A | Ток утечки при Обратном напряжении (Vr) |
Рекомендации по подбору
Диоды DB157G от GeneSiC Semiconductor представляют собой мостовые выпрямители с максимальным обратным напряжением 1000 В и средним значением выпрямленного тока 1.5 А. Эти компоненты подходят для различных приложений, включая преобразование переменного тока в постоянный. При выборе аналогов важно учитывать параметры, такие как рабочая температура, тип корпуса и способ монтажа.
Перед заменой диода необходимо проверить совместимость с существующими компонентами. Обратите внимание на такие характеристики, как максимальное обратное напряжение и прямое напряжение при заданном токе. Неправильный выбор может привести к перегреву или выходу из строя оборудования.
- Максимальное обратное напряжение
- Средний выпрямленный ток
- Рабочая температура
- Тип корпуса и способ монтажа
Похожие товары
US1A-13 (DIODE GEN PURP 50V 1A SMA)
Категория:
Дискретные полупроводники
ЗаказатьGBU801 (RECT BRIDGE GPP 100V 8A GBU)
Категория:
Дискретные полупроводники
336₽
ЗаказатьUH4PDCHM3_A/H (DIODE ARRAY GP 4A 200V TO277A)
Категория:
Дискретные полупроводники
ЗаказатьDF04M-E3/45 (DIODE GPP 1A 400V 4DIP)
Категория:
Дискретные полупроводники
174₽
Заказать

