DB106G (DIODE BRIDGE 800V 1A DB)
Доставка DB106G по России Диоды — выпрямители — мостовые DB106G GeneSiC Semiconductor в нашем каталоге. В наличии DB106G с доставкой по всей России через транспортные компании. Срок от 7 дней. (DIODE BRIDGE 800V 1A DB).
DB106G характеристики
| Производитель | GeneSiC Semiconductor |
|---|---|
| Серия | - |
| Part Status | Active |
| Упаковка | Bulk |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Корпус | 4-EDIP (0.321 |
| 8.15mm) | Технология |
| Standard | Рабочая температура |
| -55°C ~ 150°C (TJ) | Исполнение корпуса |
| DB | Тип диода |
| Single Phase | Обратное Напряжение (Макс) |
| 800V | Cреднее значение выпрямленного тока (Io) |
| 1A | Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If |
| 1.1V @ 1A | Ток утечки при Обратном напряжении (Vr) |
Рекомендации по подбору
При выборе аналогов диода DB106G важно учитывать его ключевые характеристики, такие как максимальное обратное напряжение и средний выпрямленный ток. Эти параметры определяют, насколько эффективно устройство будет работать в вашей схеме. Также стоит обратить внимание на тип монтажа и исполнение корпуса, чтобы обеспечить совместимость с существующими компонентами.
Перед заменой диода рекомендуется проверить его совместимость с другими элементами схемы. Неправильный выбор может привести к перегреву или выходу из строя устройства. Убедитесь, что новый компонент соответствует требованиям по рабочей температуре и имеет аналогичные электрические характеристики.
- Максимальное обратное напряжение (800V)
- Средний выпрямленный ток (1A)
- Тип монтажа (Through Hole)
- Рабочая температура (-55°C ~ 150°C)
Похожие товары
S4230TS (RECTIFIER)
Категория:
Дискретные полупроводники
Заказать
GF1MHE3/5CA (DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214BA)
Категория:
Дискретные полупроводники
Заказать
F1T1GHA1G (DIODE GEN PURP 50V 1A TS-1)
Категория:
Дискретные полупроводники
Заказать
D1050N14TXPSA1 (DIODE GEN PURP 1.4KV 1050A)
Категория:
Дискретные полупроводники
Заказать