DB103G (DIODE BRIDGE 200V 1A DB)
DB103G характеристики
| Производитель | GeneSiC Semiconductor |
|---|---|
| Серия | - |
| Part Status | Active |
| Упаковка | Bulk |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Корпус | 4-EDIP (0.321 |
| 8.15mm) | Технология |
| Standard | Рабочая температура |
| -55°C ~ 150°C (TJ) | Исполнение корпуса |
| DB | Тип диода |
| Single Phase | Обратное Напряжение (Макс) |
| 200V | Cреднее значение выпрямленного тока (Io) |
| 1A | Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If |
| 1.1V @ 1A | Ток утечки при Обратном напряжении (Vr) |
Рекомендации по подбору
При замене диодного моста DB103G (200 В, 1 А) критически важно соблюдать соответствие по максимальному обратному напряжению и среднему выпрямленному току. Превышение этих параметров даже на 10–20% может привести к пробою pn-переходов или перегреву кристалла. Также необходимо учитывать тип корпуса (4-EDIP, DB) и температурный диапазон: замена на компонент с более узким рабочим диапазоном недопустима в условиях высоких нагрузок.
Проверка совместимости включает сравнение прямого падения напряжения (Vf при 1 А — 1,1 В), тока утечки и технологии изготовления (стандартный кремний). Аналог должен иметь идентичные или лучшие показатели по тепловому сопротивлению. Для корпуса DB (Through Hole) обращайте внимание на шаг выводов и монтажное отверстие — нестандартная геометрия может не совпасть с платой.
- Основные критерии: максимальное обратное напряжение (VRRM) ≥ 200 В, средний ток (Io) ≥ 1 А, пиковый ток (IFSM) не ниже указанного в даташите.
- Проверка тепловых режимов: при одинаковом токе аналог с большим тепловым сопротивлением потребует дополнительного радиатора.
- Риски при замене: использование моста с другим типом выпрямителей (например, Шоттки) может изменить форму напряжения и привести к сбоям в схеме.
- Убедитесь, что аналог имеет аналогичную серию или сертификацию для работы в заданном диапазоне температур (–55…+150 °C).