CY7C1312KV18-250BZCT (IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA)
CY7C1312KV18-250BZCT характеристики
| Производитель | Cypress Semiconductor Corp |
|---|---|
| Серия | - |
| Part Status | Active |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Вид монтажа | Surface Mount |
| Корпус | 165-LBGA |
| Технология | SRAM - Synchronous |
| QDR II | Рабочая температура |
| 0°C ~ 70°C (TA) | Исполнение корпуса |
| 165-FBGA (13x15) | Base Part Number |
| CY7C1312 | Напряжение питания |
| 1.7 V ~ 1.9 V | Тип памяти |
| Volatile | Объем памяти |
| 18Mb (1M x 18) | Clock Frequency |
| 250MHz | Memory Format |
| SRAM | Write Cycle Time - Word |
| Page | - |
| Memory Interface | Parallel |
Рекомендации по подбору
Микросхема CY7C1312KV18-250BZCT представляет собой синхронную статическую память SRAM объёмом 18 Мбит (организация 1M×18) с интерфейсом QDR II. Корпус 165-FBGA (13×15 мм), напряжение питания 1,7–1,9 В, тактовая частота 250 МГц. Предназначена для высокопроизводительных вычислительных и сетевых систем, где требуется быстрый обмен данными с минимальными задержками.
При подборе аналога необходимо учитывать три ключевых параметра: совместимость по напряжению и временным характеристикам, тип корпуса и поддержку протокола QDR II. Замена на микросхемы других производителей (например, Renesas или GSI Technology) возможна только после сверки распиновки и режимов работы. Основные риски при замене — несоответствие тактовой частоты, различие в логике управления (особенно для QDR II+ или QDR IV) и отклонение рабочего температурного диапазона.
- Проверьте напряжение питания (1,7–1,9 В) и допустимый разброс — даже 0,1 В может вызвать сбои при 250 МГц.
- Сравните корпус и расположение выводов (165-FBGA) с аналогом — несовпадение посадочного места потребует переразводки платы.
- Убедитесь, что аналог поддерживает тот же протокол QDR II (не QDR II+ или QDR IV), иначе изменится алгоритм адресации и стробирования.
- Учитывайте температурный диапазон (0…70 °C) — замена на индустриальную версию (-40…85 °C) допустима, но обратная замена может привести к отказу в горячих условиях.


