+7(916) 225-43-02

CY7C1062GN30-10BGXIT (IC SRAM 16M PARALLEL)

CY7C1062GN30-10BGXIT (IC SRAM 16M PARALLEL)
Интегральные микросхемы Модули памяти
Доставка CY7C1062GN30-10BGXIT по России Модули памяти CY7C1062GN30-10BGXIT Cypress Semiconductor Corp в нашем каталоге. В наличии CY7C1062GN30-10BGXIT с доставкой по всей России через транспортные компании. Срок от 7 дней. (IC SRAM 16M PARALLEL).

CY7C1062GN30-10BGXIT характеристики

ПроизводительCypress Semiconductor Corp
Серия-
Part StatusActive
ТехнологияSRAM - Asynchronous
Рабочая температура-40°C ~ 85°C (TA)
Напряжение питания2.2 V ~ 3.6 V
Тип памятиVolatile
Объем памяти16Mb (512K x 32)
Время доступа10ns
Memory FormatSRAM
Write Cycle Time - WordPage
10nsMemory Interface

Рекомендации по подбору

Микросхема CY7C1062GN30-10BGXIT — асинхронная SRAM на 16 Мбит (512K x 32) с временем доступа 10 нс и напряжением питания 2.2–3.6 В. Корпус BGA и температурный диапазон от -40 до +85 °C делают её пригодной для промышленных и телекоммуникационных устройств, где критичны скорость и стабильность работы при перепадах температур.

При поиске аналога или замене необходимо учитывать несколько ключевых параметров, чтобы избежать сбоев в системе. Основные критерии выбора и проверки совместимости:

  • Организация памяти (512K x 32) и тип корпуса (BGA) — альтернатива должна иметь идентичную распиновку и габариты, иначе потребуется переработка печатной платы.
  • Время доступа (10 нс) и асинхронный интерфейс — замена с большей задержкой нарушит временные диаграммы, особенно в высокочастотных схемах.
  • Диапазон напряжений (2.2–3.6 В) — использование аналога с другим вольтажом без преобразователей уровня приведёт к нестабильной работе или повреждению.
  • Температурный диапазон (-40…85 °C) — для промышленных применений обязателен; коммерческие версии выйдут из строя при эксплуатации вне указанных пределов.

Похожие товары