CY7C1061GE-10BVXI (IC SRAM 16M PARALLEL 48VFBGA)

CY7C1061GE-10BVXI (IC SRAM 16M PARALLEL 48VFBGA)
Доставка CY7C1061GE-10BVXI по России Модули памяти CY7C1061GE-10BVXI Cypress Semiconductor Corp в нашем каталоге. В наличии CY7C1061GE-10BVXI с доставкой по всей России через транспортные компании. Срок от 7 дней. (IC SRAM 16M PARALLEL 48VFBGA).

CY7C1061GE-10BVXI характеристики

ПроизводительCypress Semiconductor Corp
Серия-
Part StatusActive
УпаковкаTray
Вид монтажаSurface Mount
Корпус48-VFBGA
ТехнологияSRAM - Asynchronous
Рабочая температура-40°C ~ 85°C (TA)
Исполнение корпуса48-VFBGA (6x8)
Напряжение питания4.5 V ~ 5.5 V
Тип памятиVolatile
Объем памяти16Mb (1M x 16)
Время доступа10ns
Memory FormatSRAM
Write Cycle Time - WordPage
10nsMemory Interface

Рекомендации по подбору

Микросхема CY7C1061GE-10BVXI (Cypress) — асинхронное статическое ОЗУ 16 Мбит (1M×16) с временем доступа 10 нс. Работает при питании 4,5–5,5 В в индустриальном диапазоне температур (-40…85 °C), поставляется в корпусе 48-VFBGA. Применяется в системах, где требуются высокая скорость и надёжность при параллельном доступе.

При подборе аналога критично проверять напряжение питания, время доступа и температурный допуск. Даже незначительное несоответствие может нарушить временные диаграммы или вызвать отказ устройства. Особое внимание — совместимость по выводам (pin‑to‑pin) и поддержка постраничной записи (page write), если она задействована в проекте.

  • Напряжение питания: замена на 3,3‑В версию недопустима без изменения схемы — выход за пределы 4,5–5,5 В приведёт к нестабильной работе.
  • Время доступа: аналог с большим временем (например, 12 нс) не обеспечит заданную производительность; меньшим — может потребовать дополнительных согласований.
  • Температурный диапазон: Commercial (0…70 °C) вместо Industrial (-40…85 °C) исключает работу на морозе или в горячем цехе.
  • Корпус и цоколёвка: даже в 48‑VFBGA возможны различия в расположении выводов `OE`, `WE`, `CE` — сверяйтесь с datasheet аналога.

Похожие товары