CY62147GN18-55BVXI (IC SRAM 4M PARALLEL)
Доставка CY62147GN18-55BVXI по России Модули памяти CY62147GN18-55BVXI Cypress Semiconductor Corp в нашем каталоге. В наличии CY62147GN18-55BVXI с доставкой по всей России через транспортные компании. Срок от 7 дней. (IC SRAM 4M PARALLEL).
CY62147GN18-55BVXI характеристики
| Производитель | Cypress Semiconductor Corp |
|---|---|
| Серия | MoBL® |
| Part Status | Active |
| Технология | SRAM - Asynchronous |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Напряжение питания | 1.65 V ~ 2.2 V |
| Тип памяти | Volatile |
| Объем памяти | 4Mb (256K x 16) |
| Время доступа | 55ns |
| Memory Format | SRAM |
| Write Cycle Time - Word | Page |
| 55ns | Memory Interface |
Как подобрать аналог и проверить совместимость
Перед заказом сравните параметры этой позиции с требованиями вашей схемы и посадочного места.
Что важно проверить:
- Номинал, допуск и рабочий диапазон температур.
- Ток/напряжение с запасом под реальную нагрузку.
- Тип корпуса и габариты для корректного монтажа.
- Условия применения (частота, нагрев, режим работы).
Нужен аналог для CY62147GN18-55BVXI? Отправьте артикул и требования через форму ниже — подберем совместимую замену.
Похожие товары
5P49V5923A503NLGI8 (IC CLOCK GEN 24VFQFPN PROGR)
Категория:
Интегральные микросхемы
Заказать
TPS79433DGNRG4 (IC REG LIN 3.3V 250MA 8MSOP)
Категория:
Интегральные микросхемы
Заказать
BQ27520YZFT-G4 (IC BATT FUEL GAUGE LIION 15DSBGA)
Категория:
Интегральные микросхемы
1464
₽
Заказать
8N4SV75BC-0177CDI (IC OSC VCXO 1124MHZ 6CLCC)
Категория:
Интегральные микросхемы
Заказать