+7(916) 225-43-02

CY62147G30-55BVXE (IC SRAM 4M PARALLEL)

CY62147G30-55BVXE (IC SRAM 4M PARALLEL)
Интегральные микросхемы Модули памяти
Доставка CY62147G30-55BVXE по России Модули памяти CY62147G30-55BVXE Cypress Semiconductor Corp в нашем каталоге. В наличии CY62147G30-55BVXE с доставкой по всей России через транспортные компании. Срок от 7 дней. (IC SRAM 4M PARALLEL).

CY62147G30-55BVXE характеристики

ПроизводительCypress Semiconductor Corp
СерияMoBL®
Part StatusActive
ТехнологияSRAM - Asynchronous
Рабочая температура-40°C ~ 125°C (TA)
Напряжение питания2.2 V ~ 3.6 V
Тип памятиVolatile
Объем памяти4Mb (256K x 16)
Время доступа55ns
Memory FormatSRAM
Write Cycle Time - WordPage
55nsMemory Interface

Рекомендации по подбору

Микросхема CY62147G30-55BVXE — асинхронный SRAM ёмкостью 4 Мбит (организация 256K x 16) от Cypress Semiconductor. Работает при напряжении 2,2–3,6 В, время доступа 55 нс, температура от -40 до +125 °C. Корпус и распиновка соответствуют стандартам серии MoBL®.

При подборе аналога критично проверить совместимость по выводам, питанию и временны́м характеристикам. Даже небольшое отклонение может привести к сбоям обмена данными или нестабильности системы.

  • Сверьте организацию памяти (256K x 16) и тип корпуса — они должны совпадать с заменяемой микросхемой.
  • Убедитесь, что диапазон напряжений (2,2–3,6 В) и рабочий температурный диапазон полностью перекрывают условия вашего устройства.
  • Сравните время доступа (tAA) и цикл записи: разница более 5–10 нс способна нарушить тайминги шины.
  • Учитывайте риск изменения энергопотребления и помехоустойчивости при замене на SRAM другой серии или производителя.

Похожие товары