CY14B108N-ZSP25XIT (IC NVSRAM 8M PARALLEL 54TSOP)
CY14B108N-ZSP25XIT характеристики
| Производитель | Cypress Semiconductor Corp |
|---|---|
| Серия | - |
| Part Status | Active |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Вид монтажа | Surface Mount |
| Корпус | 54-TSOP (0.400 |
| 10.16mm Width) | Технология |
| NVSRAM (Non-Volatile SRAM) | Рабочая температура |
| -40°C ~ 85°C (TA) | Исполнение корпуса |
| 54-TSOP II | Base Part Number |
| CY14B108 | Напряжение питания |
| 2.7 V ~ 3.6 V | Тип памяти |
| Non-Volatile | Объем памяти |
| 8Mb (512K x 16) | Время доступа |
| 25ns | Memory Format |
| NVSRAM | Write Cycle Time - Word |
| Page | 25ns |
| Memory Interface | Parallel" |
Рекомендации по подбору
Микросхема CY14B108N-ZSP25XIT — NVSRAM объёмом 8 Мбит (512K × 16) с параллельным интерфейсом и временем доступа 25 нс. Сочетание быстродействия SRAM и энергонезависимости позволяет отказаться от резервных батарей, что критично для промышленных контроллеров и приборов учёта. При подборе аналога необходимо учитывать не только объём и организацию памяти, но и точные временные параметры (цикл записи страницы — 25 нс), а также напряжение питания 2,7–3,6 В.
Для проверки совместимости заменяющего устройства требуется сверить распиновку корпуса 54-TSOP II (шаг 0,5 мм, ширина 10,16 мм) и рабочий температурный диапазон –40…+85 °C. Разница в таймингах записи/чтения или несоответствие уровней сигналов может вызвать сбои на шине, особенно в асинхронных системах.
- Объём памяти (8 Мбит) и разрядность (512K × 16): несовпадение организации изменит адресацию и потребует доработки схемы.
- Время доступа и цикл записи (25 нс): превышение приведёт к пропуску данных при работе на максимальной частоте.
- Корпус (54-TSOP II) и установочные размеры: механическое несоответствие делает замену невозможной без перетрассировки платы.
- Технология NVSRAM (встроенные ЭСППЗУ-ячейки): использование аналогов на FRAM или BBSRAM может изменить поведение при сбоях питания и сократить ресурс записи.