CY14B108N-ZSP25XIT (IC NVSRAM 8M PARALLEL 54TSOP)

CY14B108N-ZSP25XIT (IC NVSRAM 8M PARALLEL 54TSOP)
Доставка CY14B108N-ZSP25XIT по России Модули памяти CY14B108N-ZSP25XIT Cypress Semiconductor Corp в нашем каталоге. В наличии CY14B108N-ZSP25XIT с доставкой по всей России через транспортные компании. Срок от 7 дней. (IC NVSRAM 8M PARALLEL 54TSOP).

CY14B108N-ZSP25XIT характеристики

ПроизводительCypress Semiconductor Corp
Серия-
Part StatusActive
УпаковкаTape & Reel (TR)
Вид монтажаSurface Mount
Корпус54-TSOP (0.400
10.16mm Width)Технология
NVSRAM (Non-Volatile SRAM)Рабочая температура
-40°C ~ 85°C (TA)Исполнение корпуса
54-TSOP IIBase Part Number
CY14B108Напряжение питания
2.7 V ~ 3.6 VТип памяти
Non-VolatileОбъем памяти
8Mb (512K x 16)Время доступа
25nsMemory Format
NVSRAMWrite Cycle Time - Word
Page25ns
Memory InterfaceParallel"

Рекомендации по подбору

Микросхема CY14B108N-ZSP25XIT — NVSRAM объёмом 8 Мбит (512K × 16) с параллельным интерфейсом и временем доступа 25 нс. Сочетание быстродействия SRAM и энергонезависимости позволяет отказаться от резервных батарей, что критично для промышленных контроллеров и приборов учёта. При подборе аналога необходимо учитывать не только объём и организацию памяти, но и точные временные параметры (цикл записи страницы — 25 нс), а также напряжение питания 2,7–3,6 В.

Для проверки совместимости заменяющего устройства требуется сверить распиновку корпуса 54-TSOP II (шаг 0,5 мм, ширина 10,16 мм) и рабочий температурный диапазон –40…+85 °C. Разница в таймингах записи/чтения или несоответствие уровней сигналов может вызвать сбои на шине, особенно в асинхронных системах.

  • Объём памяти (8 Мбит) и разрядность (512K × 16): несовпадение организации изменит адресацию и потребует доработки схемы.
  • Время доступа и цикл записи (25 нс): превышение приведёт к пропуску данных при работе на максимальной частоте.
  • Корпус (54-TSOP II) и установочные размеры: механическое несоответствие делает замену невозможной без перетрассировки платы.
  • Технология NVSRAM (встроенные ЭСППЗУ-ячейки): использование аналогов на FRAM или BBSRAM может изменить поведение при сбоях питания и сократить ресурс записи.

Похожие товары