CMS30I30A(TE12L,QM (DIODE SCHOTTKY 30V 3A M-FLAT)
Доставка CMS30I30A(TE12L,QM по России Диоды — выпрямители — одиночные CMS30I30A(TE12L,QM Toshiba Semiconductor and Storage в нашем каталоге. В наличии CMS30I30A(TE12L,QM с доставкой по всей России через транспортные компании. Цена от 222 руб. Срок поставки уточняйте. (DIODE SCHOTTKY 30V 3A M-FLAT).
CMS30I30A(TE12L
| QM характеристики | Производитель |
|---|---|
| Toshiba Semiconductor and Storage | Серия |
| - | Part Status |
| Active | Вид монтажа |
| Surface Mount | Корпус |
| SOD-128 | Исполнение корпуса |
| M-FLAT (2.4x3.8) | Тип диода |
| Schottky | Cреднее значение выпрямленного тока (Io) |
| 3A | Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If |
| 490mV @ 3A | Ток утечки при Обратном напряжении (Vr) |
| 100µA @ 30V | Максимальное обратное напряжение (Vr) |
| 30V | Скорость |
| Fast Recovery = 200mA (Io) | Рабочая температура pn-прехода |
| 150°C (Max) | Емкость @ Vr |
| F | 82pF @ 10V |
Как подобрать аналог и проверить совместимость
Перед заказом сравните параметры этой позиции с требованиями вашей схемы и посадочного места.
Что важно проверить:
- Номинал, допуск и рабочий диапазон температур.
- Ток/напряжение с запасом под реальную нагрузку.
- Тип корпуса и габариты для корректного монтажа.
- Условия применения (частота, нагрев, режим работы).
Нужен аналог для CMS30I30A(TE12L,QM? Отправьте артикул и требования через форму ниже — подберем совместимую замену.
Похожие товары
3N259-E4/45 (DIODE BRIDGE 2A 1000V 4SIP)
Категория:
Дискретные полупроводники
ЗаказатьGP2D030A120U (DIODE SIC 1200V 50A TO24)
Категория:
Дискретные полупроводники
ЗаказатьMSRT10060(A)D (DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER)
Категория:
Дискретные полупроводники
ЗаказатьS12JCHR7G (DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB)
Категория:
Дискретные полупроводники
Заказать
