+7(916) 225-43-02

CDBGBSC201200-G (DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER)

CDBGBSC201200-G (DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER)
Дискретные полупроводники Диоды — выпрямители — наборы и массивы
Доставка CDBGBSC201200-G по России Диоды — выпрямители — наборы и массивы CDBGBSC201200-G Comchip Technology в нашем каталоге. В наличии CDBGBSC201200-G с доставкой по всей России через транспортные компании. Срок от 7 дней. (DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER).

CDBGBSC201200-G характеристики

ПроизводительComchip Technology
Серия-
Part StatusActive
Вид монтажаThrough Hole
КорпусTO-247-3
Исполнение корпусаTO-247
Тип диодаSilicon Carbide Schottky
Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If1.8V @ 10A
Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)100µA @ 1200V
Конфигурация диода1 Pair Common Cathode
Максимальное обратное напряжение (Vr)1200V
Cреднее значение выпрямленного тока (Io) (на один диод)25.9A (DC)
СкоростьNo Recovery Time > 500mA (Io)
Время восстановления запорного слоя (trr)0ns
Рабочая температура pn-прехода-55°C ~ 175°C

Рекомендации по подбору

Диоды CDBGBSC201200-G от Comchip Technology представляют собой мощные полупроводниковые устройства, предназначенные для применения в различных электронных схемах. При выборе аналогов важно учитывать их характеристики, такие как прямое напряжение, ток утечки и максимальное обратное напряжение.

Перед заменой диода убедитесь в совместимости с существующими компонентами. Неправильный выбор может привести к сбоям в работе устройства. Рекомендуется проверять следующие параметры:

  • Прямое напряжение (Vf) и ток (If)
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
  • Конфигурация диода и тип монтажа
  • Рабочая температура и время восстановления

Похожие товары