CDBGBSC101200-G (DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER)
Доставка CDBGBSC101200-G по России Диоды — выпрямители — наборы и массивы CDBGBSC101200-G Comchip Technology в нашем каталоге. В наличии CDBGBSC101200-G с доставкой по всей России через транспортные компании. Срок от 7 дней. (DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER).
CDBGBSC101200-G характеристики
| Производитель | Comchip Technology |
|---|---|
| Серия | - |
| Part Status | Active |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Корпус | TO-247-3 |
| Исполнение корпуса | TO-247 |
| Тип диода | Silicon Carbide Schottky |
| Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If | 1.7V @ 5A |
| Ток утечки при Обратном напряжении (Vr) | 100µA @ 1200V |
| Конфигурация диода | 1 Pair Common Cathode |
| Максимальное обратное напряжение (Vr) | 1200V |
| Cреднее значение выпрямленного тока (Io) (на один диод) | 18A (DC) |
| Скорость | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Время восстановления запорного слоя (trr) | 0ns |
| Рабочая температура pn-прехода | -55°C ~ 175°C |
Как подобрать аналог и проверить совместимость
Перед заказом сравните параметры этой позиции с требованиями вашей схемы и посадочного места.
Что важно проверить:
- Номинал, допуск и рабочий диапазон температур.
- Ток/напряжение с запасом под реальную нагрузку.
- Тип корпуса и габариты для корректного монтажа.
- Условия применения (частота, нагрев, режим работы).
Нужен аналог для CDBGBSC101200-G? Отправьте артикул и требования через форму ниже — подберем совместимую замену.
Похожие товары
1N4001TA (DIODE GEN PURP 50V 1A DO41)
Категория:
Дискретные полупроводники
Заказать
RS3GB-13 (DIODE GEN PURP 400V 3A SMB)
Категория:
Дискретные полупроводники
Заказать
VS-VSKD196/04PBF (DIODE GEN 400V 97.5A INTAPAK)
Категория:
Дискретные полупроводники
Заказать
CRS20I30A(TE85L,QM (DIODE SCHOTTKY 30V 2A SFLAT)
Категория:
Дискретные полупроводники
Заказать