CD74HC132MT (IC GATE NAND SCHMITT 4CH 14SOIC)
CD74HC132MT характеристики
| Производитель | Texas Instruments |
|---|---|
| Серия | 74HC |
| Part Status | Active |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Вид монтажа | Surface Mount |
| Корпус | 14-SOIC (0.154 |
| 3.90mm Width) | Рабочая температура |
| -55°C ~ 125°C | Особенности |
| Schmitt Trigger | Исполнение корпуса |
| 14-SOIC | Количество схем |
| 4 | Base Part Number |
| 74HC132 | Напряжение питания |
| 2 V ~ 6 V | Количество входов |
| 2 | Собственный потребляемый ток (Макс) |
| 2µA | Тип логики |
| NAND Gate | Ток выхода высокий уровень |
| низкий уровень | 5.2mA |
| 5.2mA | Максимальная задержка распространения @ V |
| Max CL | 21ns @ 6V |
| 50pF | Низкий логический уровень |
| 0.3 V ~ 1.2 V | Высокий логический уровень |
Рекомендации по подбору
Микросхема CD74HC132MT (Texas Instruments) — это счетверённый логический элемент 2И-НЕ со входами на триггерах Шмитта (Schmitt-trigger). Корпус 14-SOIC, поверхностный монтаж. Рабочее напряжение от 2 до 6 В, что обеспечивает совместимость с 3,3 В и 5 В логикой. Диапазон температур −55…+125 °C. Гистерезис триггера Шмитта эффективно подавляет дребезг контактов и помехи на входе, что особенно важно в условиях сильных электромагнитных наводок.
При подборе замены учитывайте, что прямая замена на обычный NAND-элемент (например, 74HC00) без гистерезиса может привести к ложным срабатываниям при медленных фронтах сигнала. Для бесшовной замены выбирайте микросхемы с Schmitt-trigger (например, 74HC132 от других производителей, 74HCT132 для уровней TTL). Проверяйте напряжение питания, выходной ток (5,2 мА), задержку распространения (21 нс при 6 В) и тип корпуса.
- Критерии выбора аналога: серия (HC/HCT/AC), количество каналов (4), наличие гистерезиса, корпус 14-SOIC, напряжение 2–6 В.
- Проверка совместимости: сравните логические уровни (V_IL/V_IH), выходные токи (I_OL/I_OH), температурный диапазон и скорость нарастания сигнала.
- Риски при замене: потеря гистерезиса → ложные срабатывания; изменение задержки распространения → нарушение таймингов; разница в потребляемом токе (2 мкА) может быть критична для батарейных устройств.