BYX82TAP (DIODE AVALANCHE 200V 2A SOD57)
Доставка BYX82TAP по России Диоды — выпрямители — одиночные BYX82TAP Vishay Semiconductor Diodes Division в нашем каталоге. В наличии BYX82TAP с доставкой по всей России через транспортные компании. Срок от 7 дней. (DIODE AVALANCHE 200V 2A SOD57).
BYX82TAP характеристики
| Производитель | Vishay Semiconductor Diodes Division |
|---|---|
| Серия | - |
| Part Status | Active |
| Упаковка | Tape & Box (TB) |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Корпус | SOD-57 |
| Axial | Исполнение корпуса |
| SOD-57 | Тип диода |
| Avalanche | Cреднее значение выпрямленного тока (Io) |
| 2A | Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If |
| 1V @ 1A | Ток утечки при Обратном напряжении (Vr) |
| 1µA @ 200V | Максимальное обратное напряжение (Vr) |
| 200V | Скорость |
| Standard Recovery >500ns | > 200mA (Io) |
| Время восстановления запорного слоя (trr) | 4µs |
| Рабочая температура pn-прехода | -55°C ~ 175°C |
| Емкость @ Vr | F |
| 20pF @ 4V | 1MHz |
Рекомендации по подбору
BYX82TAP (Vishay) — лавинный диод на 200 В / 2 А в аксиальном корпусе SOD-57. Стандартное восстановление (trr 4 мкс) и низкое прямое падение (1 В при 1 А) делают его пригодным для выпрямителей и цепей защиты от перенапряжений. Лавинная характеристика допускает кратковременные обратные выбросы без разрушения.
При подборе аналога не ограничивайтесь одним напряжением и током. Сверьте корпус, температурный диапазон и ёмкость перехода — в ВЧ-схемах критично. Лавинный диод нельзя заменять обычным без проверки схемы на импульсные помехи.
- Критерии выбора аналога: VRRM ≥ 200 В, IF(AV) ≥ 2 А, тип корпуса (SOD-57 или эквивалентный axial), стандартное восстановление (trr >500 нс).
- Проверка совместимости: геометрия выводов, рабочая температура (-55…175 °C), ёмкость (20 пФ при 4 В) — важна для согласованных схем.
- Риски при замене: замена на диод без лавинной характеристики снижает устойчивость к импульсам; установка быстрого диода (с малым trr) может вызвать звоны из-за различий в спектре помех.
Похожие товары
MMBD7000LT1G (DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT23)
Категория:
Дискретные полупроводники
35.52
₽
Заказать
DPF120X200NA (DIODE GEN PURP 200V 120A SOT227B)
Категория:
Дискретные полупроводники
Заказать
GBJ2006-F (RECT BRIDGE GPP 600V 20A GBJ)
Категория:
Дискретные полупроводники
733.20
₽
Заказать
UFS505JE3/TR13 (DIODE ULT FAST 5A 50V SMCJ)
Категория:
Дискретные полупроводники
Заказать