BYM10-800HE3/97 (DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB)
Доставка BYM10-800HE3/97 по России Диоды — выпрямители — одиночные BYM10-800HE3/97 Vishay Semiconductor Diodes Division в нашем каталоге. В наличии BYM10-800HE3/97 с доставкой по всей России через транспортные компании. Срок от 7 дней. (DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB).
BYM10-800HE3/97 характеристики
| Производитель | Vishay Semiconductor Diodes Division |
|---|---|
| Серия | SUPERECTIFIER® |
| Part Status | Active |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Вид монтажа | Surface Mount |
| Корпус | DO-213AB |
| MELF (Glass) | Исполнение корпуса |
| DO-213AB | Base Part Number |
| BYM10-800 | Тип диода |
| Standard | Cреднее значение выпрямленного тока (Io) |
| 1A | Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If |
| 1.2V @ 1A | Ток утечки при Обратном напряжении (Vr) |
| 10µA @ 800V | Максимальное обратное напряжение (Vr) |
| 800V | Скорость |
| Standard Recovery >500ns | > 200mA (Io) |
| Рабочая температура pn-прехода | -65°C ~ 175°C |
| Емкость @ Vr | F |
| 8pF @ 4V | 1MHz |
Рекомендации по подбору
Выпрямительный диод BYM10-800HE3/97 (Vishay) на 800 В, 1 А в корпусе DO-213AB (MELF) применяется в цепях питания, где требуется стандартное время восстановления (>500 нс). Благодаря стеклянному корпусу и технологии SUPERECTIFIER® обеспечивает низкий ток утечки и стабильную работу в диапазоне температур –65…+175 °C.
При подборе аналога критично совпадение типа корпуса (MELF), максимального обратного напряжения (не менее 800 В) и среднего прямого тока (1 А). Обратите внимание на прямое напряжение при 1 А — оно не должно превышать допустимого в схеме. Разница в емкости (8 пФ при 4 В) влияет на помехи и быстродействие.
- Главный риск — замена на диод с другим корпусом потребует переработки печатной платы.
- Убедитесь, что аналог имеет такой же или меньший ток утечки (10 мкА при 800 В), иначе возрастут потери.
- Проверьте рабочий диапазон температур и тепловое сопротивление — превышение приведет к перегреву.
- При использовании в импульсных режимах важно соблюдать скорость восстановления (стандартная, >500 нс).
Похожие товары
S1KW32C-4P (DIODE GEN PURP 32KV 3A)
Категория:
Дискретные полупроводники
Заказать
VS-KBPC802PBF (MOD BRIDGE 1PH 8A D-72)
Категория:
Дискретные полупроводники
Заказать
SK3200B-LTP (DIODE SCHOTTKY 200V 3A DO214AA)
Категория:
Дискретные полупроводники
178.80
₽
Заказать
CDBA240L-HF (DIODE SCHOTTKY 40V 2A DO214AC)
Категория:
Дискретные полупроводники
171.60
₽
Заказать