BYM10-100-E3/97 (DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB)
BYM10-100-E3/97 характеристики
| Производитель | Vishay Semiconductor Diodes Division |
|---|---|
| Серия | SUPERECTIFIER® |
| Part Status | Active |
| Упаковка | Cut Tape (CT) |
| Вид монтажа | Surface Mount |
| Корпус | DO-213AB |
| MELF (Glass) | Исполнение корпуса |
| DO-213AB | Тип диода |
| Standard | Cреднее значение выпрямленного тока (Io) |
| 1A | Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If |
| 1.1V @ 1A | Ток утечки при Обратном напряжении (Vr) |
| 10µA @ 100V | Максимальное обратное напряжение (Vr) |
| 100V | Скорость |
| Standard Recovery >500ns | > 200mA (Io) |
| Рабочая температура pn-прехода | -65°C ~ 175°C |
| Емкость @ Vr | F |
| 8pF @ 4V | 1MHz |
Рекомендации по подбору
Выпрямительный диод BYM10-100-E3/97 (Vishay, серия SUPERECTIFIER®) рассчитан на средний ток 1 А и максимальное обратное напряжение 100 В. Корпус DO-213AB (MELF) предназначен для поверхностного монтажа, стандартное восстановление (>500 нс) подходит для низкочастотных выпрямителей и блоков питания, где не требуется быстродействие. Диапазон рабочих температур от -65 до +175 °C, прямое падение напряжения 1,1 В при 1 А, обратный ток утечки не более 10 мкА.
При подборе аналога в первую очередь сопоставляют максимальные электрические параметры (напряжение, ток, рассеиваемая мощность), корпус и тип восстановления. Для замены в том же посадочном месте необходим корпус DO-213AB или совместимый MELF с идентичным размером. Также важно проверить ёмкость перехода (8 пФ при 4 В) — она может влиять на высокочастотные помехи в импульсных схемах.
- Выбор аналога: подбирайте диод с таким же или большим запасом по току (≥1 А) и напряжению (≥100 В), желательно той же серии SUPERECTIFIER® или common-cathode версии.
- Проверка совместимости: убедитесь, что корпус аналогичного диода имеет те же размеры и конфигурацию выводов (MELF, DO-213AB) — иначе монтаж невозможен без переработки платы.
- Риски при замене на быстрый диод (например, FR) — из-за меньшего времени восстановления возможны колебания в LC-контурах и повышенные выбросы при коммутации, проверьте по схемотехнике.
- Температурный режим: превышение рабочего тока или напряжения выше 175 °C приводит к деградации pn-перехода; при замене на аналог с меньшим корпусом ухудшится отвод тепла.
Похожие товары
NTS10120MFST1G (DIODE SCHOTTKY 120V 10A 5DFN)
BYM11-600HE3/96 (DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB)
AR4PMHM3_A/H (DIODE AVALANCH 1KV 1.8A TO277A)