BR25G512FJ-3GE2 (SPI BUS EEPROM)

BR25G512FJ-3GE2 (SPI BUS EEPROM)
Доставка BR25G512FJ-3GE2 по России Модули памяти BR25G512FJ-3GE2 Rohm Semiconductor в нашем каталоге. В наличии BR25G512FJ-3GE2 с доставкой по всей России через транспортные компании. Цена от 284.40 руб. Срок поставки уточняйте. (SPI BUS EEPROM).

BR25G512FJ-3GE2 характеристики

ПроизводительRohm Semiconductor
Серия-
Part StatusActive
УпаковкаCut Tape (CT)
Вид монтажаSurface Mount
Корпус8-SOIC (0.154
3.90mm Width)Технология
EEPROMРабочая температура
-40°C ~ 85°C (TA)Исполнение корпуса
8-SOP-JНапряжение питания
1.8 V ~ 5.5 VТип памяти
Non-VolatileОбъем памяти
512Kb (64K x 8)Clock Frequency
10MHzMemory Format
EEPROMWrite Cycle Time - Word
Page5ms
Memory InterfaceSPI"

Рекомендации по подбору

EEPROM BR25G512FJ-3GE2 от Rohm Semiconductor — SPI-совместимая микросхема памяти 512 Кбит с питанием 1,8–5,5 В и тактовой частотой до 10 МГц. Корпус 8-SOP-J (SOIC-8) и промышленный диапазон температур позволяют применять её в большинстве встраиваемых систем. При подборе аналога нужно сравнивать объём, интерфейс и напряжение питания, но также важны временные характеристики и страничная организация. Даже при внешней совместимости возможны отличия в протоколе, которые могут вызвать сбои.
  • Проверьте pin-to-pin совместимость — у разных производителей распиновка SOIC-8 может отличаться.
  • Убедитесь, что размер страницы (page size) и структура памяти совпадают — у оригинала 64K x 8, страница обычно 32 или 64 байта.
  • Оцените риски: худшее время цикла записи (5 мс у оригинала) может нарушить временные диаграммы SPI, особенно в режиме быстрого программирования.
  • Обратите внимание на нижнюю границу питания: если аналог не работает при 1,8 В, устройство может не запуститься от низковольтного источника.

Похожие товары