BAS16LT3G (DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3)

BAS16LT3G (DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3)
Доставка BAS16LT3G по России Диоды — выпрямители — одиночные BAS16LT3G ON Semiconductor в нашем каталоге. В наличии BAS16LT3G с доставкой по всей России через транспортные компании. Цена от 26.40 руб. Срок поставки уточняйте. (DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3).

BAS16LT3G характеристики

ПроизводительON Semiconductor
Серия-
Part StatusActive
УпаковкаCut Tape (CT)
Вид монтажаSurface Mount
КорпусTO-236-3
SC-59SOT-23-3
Исполнение корпусаSOT-23-3 (TO-236)
Base Part NumberBAS16
Тип диодаStandard
Cреднее значение выпрямленного тока (Io)200mA (DC)
Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If1.25V @ 150mA
Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)1µA @ 100V
Максимальное обратное напряжение (Vr)100V
СкоростьSmall Signal =
Время восстановления запорного слоя (trr)6ns
Рабочая температура pn-прехода-55°C ~ 150°C
Емкость @ VrF
2pF @ 0V1MHz

Рекомендации по подбору

Диод BAS16LT3G (ON Semiconductor) — кремниевый выпрямитель общего назначения с максимальным обратным напряжением 100 В и средним выпрямленным током 200 мА. Корпус SOT‑23‑3, малое время восстановления (6 нс) и низкая ёмкость (2 пФ) делают его пригодным для высокоскоростной коммутации, защиты входов и цепей маломощного питания в промышленной и автомобильной электронике.

При подборе аналога необходимо учитывать не только основные параметры (VRRM, IF(AV)), но и динамические характеристики. Даже при одинаковом напряжении и токе диод с большим временем восстановления может увеличить потери на переключение, а другое прямое падение напряжения — изменить уровни логического сигнала. Форм‑фактор SOT‑23‑3 (TO‑236) должен совпадать с посадочным местом на плате.

  • Проверьте, что обратное напряжение (VR) и прямой ток (IF) заменяющего диода не ниже исходных значений — 100 В и 200 мА соответственно.
  • Убедитесь, что время обратного восстановления (trr) ≤ 6 нс, иначе возможны искажения сигнала или рост динамических потерь в высокочастотных цепях.
  • Сравните прямое падение (VF) при рабочем токе: отклонение более 0,2 В может влиять на температурный режим и пороговые уровни.
  • Уточните диапазон температур p‑n перехода (−55…+150 °C) и ёмкость (≤ 2 пФ) — их несоответствие ведёт к риску отказа при перегрузках или в высокоскоростных интерфейсах.

Похожие товары