+7(916) 225-43-02

B8S-G (DIODE BRIDGE 800V 0.8A MBS)

B8S-G (DIODE BRIDGE 800V 0.8A MBS)
Дискретные полупроводники Диоды — выпрямители — мостовые
Доставка B8S-G по России Диоды — выпрямители — мостовые B8S-G Comchip Technology в нашем каталоге. В наличии B8S-G с доставкой по всей России через транспортные компании. Срок от 7 дней. (DIODE BRIDGE 800V 0.8A MBS).

B8S-G характеристики

ПроизводительComchip Technology
Серия-
Part StatusActive
УпаковкаTape & Reel (TR)
Вид монтажаSurface Mount
КорпусTO-269AA
4-BESOPТехнология
StandardРабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)Исполнение корпуса
MBSТип диода
Single PhaseОбратное Напряжение (Макс)
800VCреднее значение выпрямленного тока (Io)
800mAПрямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
1.1V @ 800mAТок утечки при Обратном напряжении (Vr)

Рекомендации по подбору

При выборе аналога диода B8S-G необходимо учитывать ключевые характеристики, такие как максимальное обратное напряжение, средний выпрямленный ток и тип корпуса. Эти параметры влияют на совместимость с существующими схемами и могут определить, подходит ли аналог для конкретного применения.

Перед заменой важно проверить, соответствует ли новый компонент требованиям по рабочей температуре и способу монтажа. Риски, связанные с заменой, могут включать повреждение оборудования или снижение эффективности работы схемы.

  • Максимальное обратное напряжение: 800V
  • Средний выпрямленный ток: 800mA
  • Тип корпуса: TO-269AA
  • Рабочая температура: от -55°C до 150°C

Похожие товары