B250C1000G-E4/51 (DIODE BRIDGE 1A 400V WOG)
Доставка B250C1000G-E4/51 по России Диоды — выпрямители — мостовые B250C1000G-E4/51 Vishay Semiconductor Diodes Division в нашем каталоге. В наличии B250C1000G-E4/51 с доставкой по всей России через транспортные компании. Цена от 253.20 руб. Срок поставки уточняйте. (DIODE BRIDGE 1A 400V WOG).
B250C1000G-E4/51 характеристики
| Производитель | Vishay Semiconductor Diodes Division |
|---|---|
| Серия | - |
| Part Status | Active |
| Упаковка | Bulk |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Корпус | 4-Circular |
| WOG | Технология |
| Standard | Рабочая температура |
| -40°C ~ 125°C (TJ) | Исполнение корпуса |
| WOG | Тип диода |
| Single Phase | Обратное Напряжение (Макс) |
| 400V | Cреднее значение выпрямленного тока (Io) |
| 1A | Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If |
| 1V @ 1A | Ток утечки при Обратном напряжении (Vr) |
Рекомендации по подбору
Диодный мост B250C1000G-E4/51 (Vishay) рассчитан на средний выпрямленный ток 1 А и максимальное обратное напряжение 400 В. Компонент выполнен в корпусе WOG для монтажа в отверстия, работает в диапазоне температур –40…+125 °C. При подборе аналога в первую очередь учитывают эти параметры, а также тип корпуса — замена на модуль с другим форм-фактором потребует переработки печатной платы.
Критичные электрические характеристики: прямое падение напряжения (1 В при 1 А) и ток утечки при обратном смещении. Аналог должен гарантировать такие же или лучшие значения при идентичных условиях эксплуатации. Обратите внимание на технологию (стандартный кремний) и наличие сертификатов — например, соответствие RoHS.
- Совместимость по посадочному месту и шагу выводов: корпус WOG имеет четыре круглых вывода, расположение которых должно совпадать с аналогом.
- Тепловые режимы: если новый диод имеет большее прямое падение, потребуется отводить больше тепла — проверьте допустимую мощность рассеивания.
- Риск при замене: разные производители могут указывать те же номиналы, но фактические характеристики (перегрузочная способность, коммутационные потери) отличаются — требуются тесты в готовом устройстве.
Похожие товары
S6HVM2.5 (DIODE GEN PURP 2.5KV 4A MODULE)
Категория:
Дискретные полупроводники
ЗаказатьMUR4L60HB0G (DIODE GEN PURP 600V 4A DO201AD)
Категория:
Дискретные полупроводники
ЗаказатьVS-70MT160PAPBF (MOD IGBT 1600V 75A 3-PHASE MTP)
Категория:
Дискретные полупроводники
10471.20₽
ЗаказатьR5010810XXWA (RECTIFIER STUD MOUNT REVERSE DO-)
Категория:
Дискретные полупроводники
Заказать
