B160BE-13 (DIODE SCHOTTKY 60V 1A SMB)
Доставка B160BE-13 по России Диоды — выпрямители — одиночные B160BE-13 Diodes Incorporated в нашем каталоге. В наличии B160BE-13 с доставкой по всей России через транспортные компании. Срок от 7 дней. (DIODE SCHOTTKY 60V 1A SMB).
B160BE-13 характеристики
| Производитель | Diodes Incorporated |
|---|---|
| Серия | - |
| Part Status | Active |
| Вид монтажа | Surface Mount |
| Корпус | DO-214AA |
| SMB | Исполнение корпуса |
| SMB | Тип диода |
| Schottky | Cреднее значение выпрямленного тока (Io) |
| 1A | Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If |
| 650mV @ 1A | Ток утечки при Обратном напряжении (Vr) |
| 200µA @ 60V | Максимальное обратное напряжение (Vr) |
| 60V | Скорость |
| Fast Recovery = 200mA (Io) | Рабочая температура pn-прехода |
| -55°C ~ 150°C | Емкость @ Vr |
| F | 45pF @ 4V |
Рекомендации по подбору
Диод Шоттки B160BE-13 (Diodes Incorporated) рассчитан на обратное напряжение 60 В и прямой ток 1 А. Выполнен в корпусе SMB (DO-214AA) для поверхностного монтажа. Характеризуется низким прямым падением напряжения (650 мВ при 1 А) и быстрым восстановлением, что делает его подходящим для цепей вторичного выпрямления, защиты от обратной полярности и DC/DC-преобразователей.
При подборе аналога необходимо учитывать максимальное обратное напряжение (VRRM), средний прямой ток (IF), прямое напряжение (VF) и обратный ток утечки (IR). Критичны также тепловые характеристики: максимальная температура перехода и тепловое сопротивление корпуса. Для высокочастотных схем важна ёмкость перехода (Cj) — у оригинала 45 пФ при 4 В.
- Перед заменой проверьте совместимость по корпусу (SMB/DO-214AA) и температурному диапазону. Несоответствие по габаритам может потребовать перетрассировки платы.
- Диоды Шоттки с более высоким напряжением часто имеют больший VF и ток утечки — это приведёт к росту потерь и нагрева. Выбирайте аналог с напряжением не ниже 60 В, но без избыточного запаса.
- Обратите внимание на импульсные характеристики: если в схеме возможны броски тока, нужен диод с допустимым пиковым током (IFSM) не менее 30–50 А. Уточните этот параметр у предполагаемого заменителя.
- Риск при замене: увеличение обратного тока утечки при высоких температурах может вызвать нестабильность в схемах с низким потреблением. Проверьте зависимость IR от температуры в даташите аналога.
Похожие товары
BYD13GGP-E3/54 (DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL)
Категория:
Дискретные полупроводники
ЗаказатьSS24 (DIODE SCHOTTKY 40V 2A DO214AA)
Категория:
Дискретные полупроводники
51.60₽
ЗаказатьUGF1004GHC0G (DIODE ARRAY GP 200V ITO-220AB)
Категория:
Дискретные полупроводники
ЗаказатьMBR50035CTR (DIODE MODULE 35V 500A 2TOWER)
Категория:
Дискретные полупроводники
Заказать

