+7(916) 225-43-02

AS7C31025B-12TJINTR (IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ)

AS7C31025B-12TJINTR (IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ)
Интегральные микросхемы Модули памяти
Доставка AS7C31025B-12TJINTR по России Модули памяти AS7C31025B-12TJINTR Alliance Memory, Inc. в нашем каталоге. В наличии AS7C31025B-12TJINTR с доставкой по всей России через транспортные компании. Срок от 7 дней. (IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ).

AS7C31025B-12TJINTR характеристики

ПроизводительAlliance Memory
Inc.Серия
-Part Status
ActiveУпаковка
Tape & Reel (TR)Вид монтажа
Surface MountКорпус
32-BSOJ (0.3007.62mm Width)
ТехнологияSRAM - Asynchronous
Рабочая температура-40°C ~ 85°C (TA)
Исполнение корпуса32-SOJ
Напряжение питания3 V ~ 3.6 V
Тип памятиVolatile
Объем памяти1Mb (128K x 8)
Время доступа12ns
Memory FormatSRAM
Write Cycle Time - WordPage
12nsMemory Interface

Рекомендации по подбору

Микросхема AS7C31025B-12TJINTR — асинхронная SRAM объёмом 1 Мбит (организация 128K×8) с временем доступа 12 нс, работающая от напряжения 3,0–3,6 В. Корпус 32-SOJ и расширенный температурный диапазон (-40…85 °C) позволяют применять её в промышленной и встраиваемой электронике для буферизации данных без тактовой синхронизации.

При подборе аналога или замены ключевым является полное соответствие электрических и механических параметров, иначе возможен сбой или выход схемы из строя. Особое внимание уделите временным диаграммам записи/чтения, напряжению питания и распиновке.

  • Критерии выбора аналога: напряжение 3,0–3,6 В, время доступа ≤12 нс, корпус 32-SOJ, асинхронный интерфейс, организация 128K×8.
  • Проверка совместимости: сравните распиновку (выводы OE, WE, CS, адрес/данные), тайминги циклов, поддержку режимов page/write (если применимо).
  • Основные риски: аналог с другим напряжением (например, 5 В) повредит микросхему; более медленная память (15 нс) вызовет потерю данных; несовпадение корпуса или температурного диапазона снизит надёжность.

Похожие товары