+7(916) 225-43-02

AS6C8016A-55ZINTR (IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II)

AS6C8016A-55ZINTR (IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II)
Интегральные микросхемы Модули памяти
Доставка AS6C8016A-55ZINTR по России Модули памяти AS6C8016A-55ZINTR Alliance Memory, Inc. в нашем каталоге. В наличии AS6C8016A-55ZINTR с доставкой по всей России через транспортные компании. Срок от 7 дней. (IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II).

AS6C8016A-55ZINTR характеристики

ПроизводительAlliance Memory
Inc.Серия
-Part Status
ActiveУпаковка
Tape & Reel (TR)Вид монтажа
Surface MountКорпус
44-TSOP (0.40010.16mm Width)
ТехнологияSRAM - Asynchronous
Рабочая температура-40°C ~ 85°C (TA)
Исполнение корпуса44-TSOP II
Напряжение питания2.7 V ~ 3.6 V
Тип памятиVolatile
Объем памяти8Mb (512K x 16)
Время доступа55ns
Memory FormatSRAM
Write Cycle Time - WordPage
55nsMemory Interface

Рекомендации по подбору

Микросхема AS6C8016A-55ZINTR представляет собой асинхронное статическое ОЗУ (SRAM) объемом 8 Мбит с организацией 512K×16 и параллельным интерфейсом. Корпус 44-TSOP II, диапазон питающих напряжений 2,7–3,6 В, время доступа 55 нс. Устройство рассчитано на работу в температурном диапазоне от -40 до +85 °C, что допускает применение в промышленных устройствах.

При подборе функционального аналога важно учитывать не только объем и организацию памяти, но и электрические параметры, а также тип корпуса и расположение выводов.

  • Проверяйте точное соответствие цоколевки и корпуса: даже при одинаковой емкости разные производители могут использовать отличающиеся назначения выводов (например, TSOP II и TSOP I).
  • Сравнивайте напряжение питания, время доступа и токи потребления в режимах ожидания и работы — превышение этих параметров может нарушить тайминги шины.
  • Убедитесь в совместимости логических уровней с остальными компонентами системы, особенно при смешанном питании 3,3 В и 2,5 В.
  • Учитывайте температурный диапазон: замена промышленной версии на коммерческую недопустима в оборудовании с расширенными условиями эксплуатации.

Похожие товары