+7(916) 225-43-02

AS4C4M16D1-5TCN (IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II)

AS4C4M16D1-5TCN (IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II)
Интегральные микросхемы Модули памяти
Доставка AS4C4M16D1-5TCN по России Модули памяти AS4C4M16D1-5TCN Alliance Memory, Inc. в нашем каталоге. В наличии AS4C4M16D1-5TCN с доставкой по всей России через транспортные компании. Срок от 7 дней. (IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II).

AS4C4M16D1-5TCN характеристики

ПроизводительAlliance Memory
Inc.Серия
-Part Status
ObsoleteУпаковка
TrayВид монтажа
Surface MountКорпус
66-TSSOP (0.40010.16mm Width)
ТехнологияSDRAM - DDR
Рабочая температура0°C ~ 70°C (TA)
Исполнение корпуса66-TSOP II
Напряжение питания2.3 V ~ 2.7 V
Тип памятиVolatile
Объем памяти64Mb (4M x 16)
Clock Frequency200MHz
Время доступа700ps
Memory FormatDRAM
Write Cycle Time - WordPage
15nsMemory Interface

Рекомендации по подбору

Микросхема AS4C4M16D1-5TCN представляет собой DRAM SDRAM-DDR объёмом 64 Мбит (4М×16) в корпусе 66-TSOP II с напряжением 2,3–2,7 В. Производитель Alliance Memory, статус «устаревшая» — замена требуется при проектировании новых устройств или ремонте.

При подборе аналога учитывайте: тип памяти (SDRAM-DDR), ёмкость, конфигурацию шины, корпус, диапазон напряжений и частоту (до 200 МГц). Критичны тайминги (время доступа 0,7 нс) и температурный диапазон (0–70 °C).

  • Убедитесь в совпадении корпуса и распиновки (66-TSOP II), иначе потребуется изменение топологии платы.
  • Проверьте совместимость напряжения питания: отклонение выше 0,1 В от номинала (2,5 В) может привести к нестабильной работе.
  • Риски замены: разница в параметрах RAS-to-CAS delay (tRCD) и задержке цикла записи (tWR) вызывает сбои адресации. Сверьте временные диаграммы в даташите.
  • Для DDR-режима важна частота тактового сигнала — замена на slower part (например, 166 МГц) снизит производительность, на faster — может потребовать модификации встроенного PLL.

Похожие товары