AS4C16M32MS-7BCN (IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA)

AS4C16M32MS-7BCN (IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA)
Доставка AS4C16M32MS-7BCN по России Модули памяти AS4C16M32MS-7BCN Alliance Memory, Inc. в нашем каталоге. В наличии AS4C16M32MS-7BCN с доставкой по всей России через транспортные компании. Срок от 7 дней. (IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA).

AS4C16M32MS-7BCN характеристики

ПроизводительAlliance Memory
Inc.Серия
-Part Status
Discontinued at Digi-KeyУпаковка
TrayВид монтажа
Surface MountКорпус
90-VFBGAТехнология
SDRAM - Mobile SDRAMРабочая температура
-25°C ~ 85°C (TA)Исполнение корпуса
90-FBGA (8x13)Напряжение питания
1.7 V ~ 1.95 VТип памяти
VolatileОбъем памяти
512Mb (16M x 32)Clock Frequency
133MHzВремя доступа
5.4nsMemory Format
DRAMWrite Cycle Time - Word
Page15ns
Memory InterfaceParallel

Рекомендации по подбору

Микросхема AS4C16M32MS-7BCN представляет собой мобильную SDRAM объёмом 512 Мбит (16M x 32) с параллельным интерфейсом. Работает при напряжении 1,7–1,95 В и частоте 133 МГц, время доступа — 5,4 нс. Корпус 90-FBGA (8x13 мм) предназначен для поверхностного монтажа. Данная память ориентирована на встраиваемые и мобильные системы с жёсткими требованиями по энергопотреблению.

При подборе аналога критично обеспечить полное электрическое и механическое соответствие. Несовпадение по напряжению питания, таймингам или корпусу может привести к нестабильной работе или выходу устройства из строя. Рекомендуется тестировать замену в целевом режиме, особенно при высоких температурах (до +85°C).

  • Напряжение питания: допустимый диапазон 1,7–1,95 В; использование микросхемы с другим номиналом (например, 2,5 В) недопустимо.
  • Корпус и распиновка: обязательно совпадение типа корпуса (90-FBGA) и цоколёвки; даже незначительное отличие может нарушить контакт.
  • Тайминги: частота 133 МГц и время доступа 5,4 нс должны быть ≤ исходных параметров; более медленная память снизит производительность.
  • Организация: 16M x 32 — замена только с идентичной разрядностью (x32), иначе изменится интерфейс.

Похожие товары