+7(916) 225-43-02

AS4C128M8D3L-12BCNTR (IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA)

AS4C128M8D3L-12BCNTR (IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA)
Интегральные микросхемы Модули памяти
Доставка AS4C128M8D3L-12BCNTR по России Модули памяти AS4C128M8D3L-12BCNTR Alliance Memory, Inc. в нашем каталоге. В наличии AS4C128M8D3L-12BCNTR с доставкой по всей России через транспортные компании. Срок от 7 дней. (IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA).

AS4C128M8D3L-12BCNTR характеристики

ПроизводительAlliance Memory
Inc.Серия
-Part Status
Discontinued at Digi-KeyУпаковка
Tape & Reel (TR)Вид монтажа
Surface MountКорпус
78-TFBGAТехнология
SDRAM - DDR3LРабочая температура
0°C ~ 95°C (TC)Исполнение корпуса
78-FBGA (8x10.5)Напряжение питания
1.283 V ~ 1.45 VТип памяти
VolatileОбъем памяти
1Gb (128M x 8)Clock Frequency
800MHzВремя доступа
20nsMemory Format
DRAMWrite Cycle Time - Word
Page15ns
Memory InterfaceParallel

Рекомендации по подбору

Микросхема AS4C128M8D3L-12BCNTR представляет собой DDR3L SDRAM объёмом 1 Гбит (организация 128M×8) в корпусе 78-FBGA (8×10,5 мм). Рабочее напряжение 1,283–1,45 В, тактовая частота 800 МГц, время доступа 20 нс. Память предназначена для поверхностного монтажа и применяется в компактных устройствах, где важна энергоэффективность.

При подборе аналога необходимо проверить совместимость по электрическим, механическим и логическим параметрам. Ниже приведены основные критерии и возможные риски при замене.

  • Напряжение питания: DDR3L (1,35 В) несовместима с обычной DDR3 (1,5 В) — установка в слот для DDR3 может повредить микросхему.
  • Частота и тайминги: замена на чип с меньшей частотой (например, 667 МГц) приведёт к нестабильной работе или отказу запуска системы.
  • Организация памяти: x8‑ширина данных должна совпадать; установка x16 вместо x8 нарушит адресацию и сделает модуль неработоспособным в данной схеме.
  • Корпус и распиновка: 78-FBGA (8×10,5 мм) не взаимозаменяема с 96-шариковыми корпусами — требуется сверка посадочного места.

Похожие товары