+7(916) 225-43-02

APTDF200H120G (DIODE MODULE FULL BRIDGE SP6)

APTDF200H120G (DIODE MODULE FULL BRIDGE SP6)
Дискретные полупроводники Диоды — выпрямители — мостовые
Доставка APTDF200H120G по России Диоды — выпрямители — мостовые APTDF200H120G Microsemi Corporation в нашем каталоге. В наличии APTDF200H120G с доставкой по всей России через транспортные компании. Срок от 7 дней. (DIODE MODULE FULL BRIDGE SP6).

APTDF200H120G характеристики

ПроизводительMicrosemi Corporation
Серия-
Part StatusActive
УпаковкаBulk
Вид монтажаChassis Mount
КорпусSP6
ТехнологияStandard
Рабочая температура-40°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпусаSP6
Тип диодаSingle Phase
Обратное Напряжение (Макс)1.2kV
Cреднее значение выпрямленного тока (Io)235A
Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If3V @ 200A
Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)150µA @ 1200V

Рекомендации по подбору

Диодный мостовой модуль APTDF200H120G (Microsemi) рассчитан на ток 235 А и обратное напряжение 1200 В в корпусе SP6. При подборе аналога критично учитывать конструктивные особенности: тип монтажа (Chassis Mount), однофазную схему и тепловые режимы работы (до 175 °C).

Перед заменой обязательно проверьте электрические параметры — средний выпрямленный ток, импульсные перегрузки и прямое падение напряжения (3 В при 200 А). Особое внимание уделите геометрии корпуса и крепёжным отверстиям: несоответствие размеров может потребовать доработки радиатора или системы охлаждения.

  • Критерии выбора: номинальный ток не менее 235 А, напряжение не менее 1200 В, рабочий диапазон температур −40…175 °C, корпус SP6.
  • Совместимость: убедитесь в идентичности схемы (однофазный мост), расположении выводов и типе упаковки (Bulk) для автоматизированного монтажа.
  • Риски при замене: превышение обратного тока утечки (более 150 мкА при 1200 В) снижает эффективность; увеличение Vf приводит к перегреву.
  • Уточните наличие в {region} и сроки поставки, чтобы избежать простоев производства.

Похожие товары