+7(916) 225-43-02

71V65703S80BQ (IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA)

71V65703S80BQ (IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA)
Интегральные микросхемы Модули памяти
Доставка 71V65703S80BQ по России Модули памяти 71V65703S80BQ IDT, Integrated Device Technology Inc в нашем каталоге. В наличии 71V65703S80BQ с доставкой по всей России через транспортные компании. Срок от 7 дней. (IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA).

71V65703S80BQ характеристики

ПроизводительIDT
Integrated Device Technology IncСерия
-Part Status
ActiveУпаковка
TrayВид монтажа
Surface MountКорпус
165-TBGAТехнология
SRAM - Synchronous ZBTРабочая температура
0°C ~ 70°C (TA)Исполнение корпуса
165-CABGA (13x15)Base Part Number
IDT71V65703Напряжение питания
3.135 V ~ 3.465 VТип памяти
VolatileОбъем памяти
9Mb (256K x 36)Время доступа
8nsMemory Format
SRAMWrite Cycle Time - Word
Page-
Memory InterfaceParallel

Рекомендации по подбору

Микросхема 71V65703S80BQ — синхронный SRAM с интерфейсом ZBT, организованный как 256K×36 бит. Корпус 165-CABGA, напряжение питания 3.3 В, время доступа 8 нс. Применяется в коммуникационном и промышленном оборудовании, где требуется быстрый параллельный обмен с низкой задержкой.

При подборе аналога важно сравнивать не только объем и организацию, но и тип синхронизации, тактовые частоты, временные диаграммы чтения/записи, а также температурный диапазон и вариант корпуса. Отличия в цоколевке или сигнальных уровнях могут сделать замену некорректной даже при совпадении основных параметров.

  • Сверяйте корпус (165-CABGA/TBGA) и распиновку с целевой платой; механические различия исключают установку без переделки.
  • Проверяйте напряжение питания и совместимость логических уровней с контроллером: допустимый диапазон 3.135–3.465 В.
  • Учитывайте время доступа (8 нс) и требования к установке/удержанию сигналов — слишком медленный аналог нарушит тайминги шины.
  • Риски замены связаны с различиями в температурном диапазоне (0…+70 °C), энергопотреблением и поведением при отключении питания.

Похожие товары