+7(916) 225-43-02

71V416S10YG (IC SRAM 4M PARALLEL 44SOJ)

71V416S10YG (IC SRAM 4M PARALLEL 44SOJ)
Интегральные микросхемы Модули памяти
Доставка 71V416S10YG по России Модули памяти 71V416S10YG IDT, Integrated Device Technology Inc в нашем каталоге. В наличии 71V416S10YG с доставкой по всей России через транспортные компании. Срок от 7 дней. (IC SRAM 4M PARALLEL 44SOJ).

71V416S10YG характеристики

ПроизводительIDT
Integrated Device Technology IncСерия
-Part Status
ActiveУпаковка
TubeВид монтажа
Surface MountКорпус
44-BSOJ (0.40010.16mm Width)
ТехнологияSRAM - Asynchronous
Рабочая температура0°C ~ 70°C (TA)
Исполнение корпуса44-SOJ
Base Part NumberIDT71V416
Напряжение питания3 V ~ 3.6 V
Тип памятиVolatile
Объем памяти4Mb (256K x 16)
Время доступа10ns
Memory FormatSRAM
Write Cycle Time - WordPage
10nsMemory Interface

Как подобрать аналог и проверить совместимость

Перед заказом сравните параметры этой позиции с требованиями вашей схемы и посадочного места.

Что важно проверить:

  • Номинал, допуск и рабочий диапазон температур.
  • Ток/напряжение с запасом под реальную нагрузку.
  • Тип корпуса и габариты для корректного монтажа.
  • Условия применения (частота, нагрев, режим работы).

Нужен аналог для 71V416S10YG? Отправьте артикул и требования через форму ниже — подберем совместимую замену.

Похожие товары