+7(916) 225-43-02

71V35761S200BG8 (IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA)

71V35761S200BG8 (IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA)
Интегральные микросхемы Модули памяти
Доставка 71V35761S200BG8 по России Модули памяти 71V35761S200BG8 IDT, Integrated Device Technology Inc в нашем каталоге. В наличии 71V35761S200BG8 с доставкой по всей России через транспортные компании. Срок от 7 дней. (IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA).

71V35761S200BG8 характеристики

ПроизводительIDT
Integrated Device Technology IncСерия
-Part Status
ObsoleteУпаковка
Tape & Reel (TR)Вид монтажа
Surface MountКорпус
119-BGAТехнология
SRAM - SynchronousРабочая температура
0°C ~ 70°C (TA)Исполнение корпуса
119-PBGA (14x22)Base Part Number
IDT71V35761Напряжение питания
3.135 V ~ 3.465 VТип памяти
VolatileОбъем памяти
4.5Mb (128K x 36)Clock Frequency
200MHzВремя доступа
3.1nsMemory Format
SRAMWrite Cycle Time - Word
Page-
Memory InterfaceParallel

Рекомендации по подбору

Микросхема 71V35761S200BG8 от IDT — синхронное статическое ОЗУ 4,5 Мбит с организацией 128K×36 и частотой до 200 МГц. Работает при напряжении 3,3 В, корпус 119-PBGA (14×22 мм), диапазон температур 0…70 °C. Компонент отмечен как устаревший (Obsolete), что требует внимательного подбора замены при проектировании или ремонте.

При замене критично соблюсти не только базовые параметры (ёмкость, частота, напряжение), но и временные характеристики, совместимость по выводам и топологию питания. Для корректной замены учитывайте следующие критерии:

  • Ёмкость и организация: 4,5 Мбит, 128K×36. Частота не ниже 200 МГц, напряжение 3,135–3,465 В. Время доступа 3,1 нс — должно быть не хуже.
  • Проверка совместимости: корпус 119-PBGA (14×22 мм), распиновка должна полностью совпадать (пин-ту-пин). Сверяйте документацию производителя аналога.
  • Риски замены: несоответствие временных окон (setup/hold, skew), различие в схеме тактирования (синхронная SRAM), возможное увеличение тока потребления. Обязательно тестирование на прототипе.

Похожие товары