+7(916) 225-43-02

71V256SA15YG8 (IC SRAM 256K PARALLEL 28SOJ)

71V256SA15YG8 (IC SRAM 256K PARALLEL 28SOJ)
Интегральные микросхемы Модули памяти
Доставка 71V256SA15YG8 по России Модули памяти 71V256SA15YG8 IDT, Integrated Device Technology Inc в нашем каталоге. В наличии 71V256SA15YG8 с доставкой по всей России через транспортные компании. Цена от 526.80 руб. Срок поставки уточняйте. (IC SRAM 256K PARALLEL 28SOJ).

71V256SA15YG8 характеристики

ПроизводительIDT
Integrated Device Technology IncСерия
-Part Status
ActiveУпаковка
Cut Tape (CT)Вид монтажа
Surface MountКорпус
28-BSOJ (0.3007.62mm Width)
ТехнологияSRAM - Asynchronous
Рабочая температура0°C ~ 70°C (TA)
Исполнение корпуса28-SOJ
Base Part NumberIDT71V256
Напряжение питания3 V ~ 3.6 V
Тип памятиVolatile
Объем памяти256Kb (32K x 8)
Время доступа15ns
Memory FormatSRAM
Write Cycle Time - WordPage
15nsMemory Interface

Рекомендации по подбору

Микросхема 71V256SA15YG8 — асинхронное статическое ОЗУ (SRAM) объёмом 256 Кбит (32K×8) в корпусе 28-SOJ. Питание 3,0–3,6 В, время доступа 15 нс, рабочий диапазон 0…+70 °C. Применяется в системах с параллельным интерфейсом, где требуется быстрый обмен данными.

При подборе аналога критично соблюсти электрические и временные характеристики, а также совместимость по выводам. Даже незначительные отклонения могут вызвать нестабильность или отказ устройства.

  • Сверьте напряжение питания (3,0–3,6 В) и его допустимые отклонения. Аналог должен работать в том же или более широком диапазоне.
  • Проверьте время доступа (15 нс) и длительность цикла записи/чтения. Более медленная память нарушит тайминги шины.
  • Убедитесь в идентичности цоколевки (28-SOJ) и распиновки — у разных производителей возможны отличия.
  • Оцените температурный диапазон: для коммерческих условий достаточно 0…+70 °C, для промышленных нужен расширенный.

Похожие товары