+7(916) 225-43-02

71V2556SA100BG8 (IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA)

71V2556SA100BG8 (IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA)
Интегральные микросхемы Модули памяти
Доставка 71V2556SA100BG8 по России Модули памяти 71V2556SA100BG8 IDT, Integrated Device Technology Inc в нашем каталоге. В наличии 71V2556SA100BG8 с доставкой по всей России через транспортные компании. Срок от 7 дней. (IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA).

71V2556SA100BG8 характеристики

ПроизводительIDT
Integrated Device Technology IncСерия
-Part Status
ActiveУпаковка
Tape & Reel (TR)Вид монтажа
Surface MountКорпус
119-BGAТехнология
SRAM - Synchronous ZBTРабочая температура
0°C ~ 70°C (TA)Исполнение корпуса
119-PBGA (14x22)Base Part Number
IDT71V2556Напряжение питания
3.135 V ~ 3.465 VТип памяти
VolatileОбъем памяти
4.5Mb (128K x 36)Clock Frequency
100MHzВремя доступа
5nsMemory Format
SRAMWrite Cycle Time - Word
Page-
Memory InterfaceParallel

Рекомендации по подбору

Синхронная SRAM 71V2556SA100BG8 объёмом 4,5 Мбит (128K×36) с частотой 100 МГц и временем доступа 5 нс применяется в высокопроизводительных буферах и кэш-памяти. Микросхема работает от напряжения 3,3 В (допуск ±5%), корпус PBGA-119 (14×22 мм), коммерческий температурный диапазон 0…70 °C.

При подборе аналога или замены оцените:

  • Электрические параметры: напряжение питания (3,135–3,465 В), потребляемый ток, временные характеристики (tAA, tWC, tRC) — отличия более 10% недопустимы.
  • Механическую совместимость: корпус 119-PBGA, распиновка (ZBT-сигналы, адресные линии, шина данных) должна совпадать с оригиналом, иначе потребуется переразводка платы.
  • Функциональные риски: разная реализация синхронного ZBT-режима (burst order, pipeline/flow-through) может вызвать сбои тактирования; обязательна проверка в целевой схеме.
  • Температурный запас: замена на индустриальный аналог (-40…+85°C) возможна, но изменится время доступа и потребует пересчёта таймингов для сохранения работоспособности.

Похожие товары