+7(916) 225-43-02

71V016SA20PHGI8 (IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II)

71V016SA20PHGI8 (IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II)
Интегральные микросхемы Модули памяти
Доставка 71V016SA20PHGI8 по России Модули памяти 71V016SA20PHGI8 IDT, Integrated Device Technology Inc в нашем каталоге. В наличии 71V016SA20PHGI8 с доставкой по всей России через транспортные компании. Срок от 7 дней. (IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II).

71V016SA20PHGI8 характеристики

ПроизводительIDT
Integrated Device Technology IncСерия
-Part Status
ActiveУпаковка
Tape & Reel (TR)Вид монтажа
Surface MountКорпус
44-TSOP (0.40010.16mm Width)
ТехнологияSRAM - Asynchronous
Рабочая температура-40°C ~ 85°C (TA)
Исполнение корпуса44-TSOP II
Base Part NumberIDT71V016
Напряжение питания3 V ~ 3.6 V
Тип памятиVolatile
Объем памяти1Mb (64K x 16)
Время доступа20ns
Memory FormatSRAM
Write Cycle Time - WordPage
20nsMemory Interface

Рекомендации по подбору

Микросхема 71V016SA20PHGI8 — это асинхронная статическая память (SRAM) ёмкостью 1 Мбит с организацией 64K×16. Она работает при напряжении 3,0–3,6 В, обеспечивает время доступа 20 нс и выпускается в корпусе 44-TSOP II для поверхностного монтажа. Благодаря параллельному интерфейсу и широкому температурному диапазону (−40…+85°C) эта ИС применяется в промышленных и коммуникационных системах, где требуется быстрая временная память.

При поиске аналога или замены ключевые параметры для сравнения: объём и организация, напряжение питания, тип корпуса, время доступа и температурный диапазон. Асинхронный интерфейс упрощает замену, но несовместимость по напряжению или временным задержкам может нарушить работу схемы. Рекомендуется сверять распиновку с оригиналом.

  • Критерии выбора аналога: одинаковая ёмкость (1 Мбит, 64K×16), напряжение 3,0–3,6 В, время доступа не более 20 нс, корпус 44-TSOP II, асинхронный режим.
  • Проверка совместимости: убедитесь в совпадении распиновки (стандартная для 44-TSOP II), уровней сигналов и поддержки асинхронной работы, а также в наличии аналогичной упаковки (лента и катушка).
  • Риски при замене: более медленная память (доступ >20 нс) вызовет сбои по таймингам; разница в технологии (например, LP SRAM) может изменить потребление тока и тепловыделение; несоответствие температурного диапазона ограничит применение.

Похожие товары