71V016SA15BF (IC SRAM 1M PARALLEL 48CABGA)

71V016SA15BF характеристики
| Производитель | IDT |
|---|---|
| Integrated Device Technology Inc | Серия |
| - | Part Status |
| Active | Упаковка |
| Tray | Вид монтажа |
| Surface Mount | Корпус |
| 48-LFBGA | Технология |
| SRAM - Asynchronous | Рабочая температура |
| 0°C ~ 70°C (TA) | Исполнение корпуса |
| 48-CABGA (7x7) | Base Part Number |
| IDT71V016 | Напряжение питания |
| 3 V ~ 3.6 V | Тип памяти |
| Volatile | Объем памяти |
| 1Mb (64K x 16) | Время доступа |
| 15ns | Memory Format |
| SRAM | Write Cycle Time - Word |
| Page | 15ns |
| Memory Interface | Parallel |
Рекомендации по подбору
71V016SA15BF — асинхронная SRAM-микросхема объемом 1 Мбит (организация 64K x 16) с временем доступа 15 нс. Выполнена в корпусе 48-CABGA (7x7 мм) для поверхностного монтажа, питание 3,0–3,6 В. Компонент предназначен для буферизации данных в промышленных и телекоммуникационных устройствах, где требуется быстрая произвольная запись/чтение.
При подборе функционального аналога необходимо учитывать полное совпадение временных и электрических параметров. Даже незначительное отличие в напряжении питания или времени доступа может нарушить синхронизацию в цифровой схеме. Особое внимание уделите совместимости по корпусу (пин-ту-пин) и температурному диапазону (0°C ~ 70°C). Замена на синхронную SRAM или микросхему другого объема потребует переработки схемы управления.
- Проверьте напряжение питания: допустимый диапазон 3,0–3,6 В; замена на 5В или 1,8В модель недопустима без преобразователя.
- Сравните временные параметры: время доступа 15 нс и длительность цикла записи/чтения — более медленная микросхема вызовет ошибки данных.
- Убедитесь в совместимости выводов: корпус 48-CABGA с шагом 0,75 мм, распиновка должна совпадать один-к-одному.
- Учитывайте организацию памяти: 64K x 16 — если аналог имеет другую разрядность, потребуется адаптация шины адреса/данных.



