+7(916) 225-43-02

7164L20YG (IC SRAM 64K PARALLEL 28SOJ)

7164L20YG (IC SRAM 64K PARALLEL 28SOJ)
Интегральные микросхемы Модули памяти
Доставка 7164L20YG по России Модули памяти 7164L20YG IDT, Integrated Device Technology Inc в нашем каталоге. В наличии 7164L20YG с доставкой по всей России через транспортные компании. Цена от 963.60 руб. Срок поставки уточняйте. (IC SRAM 64K PARALLEL 28SOJ).

7164L20YG характеристики

ПроизводительIDT
Integrated Device Technology IncСерия
-Part Status
ActiveУпаковка
TubeВид монтажа
Surface MountКорпус
28-BSOJ (0.3007.62mm Width)
ТехнологияSRAM - Asynchronous
Рабочая температура0°C ~ 70°C (TA)
Исполнение корпуса28-SOJ
Base Part NumberIDT7164
Напряжение питания4.5 V ~ 5.5 V
Тип памятиVolatile
Объем памяти64Kb (8K x 8)
Время доступа20ns
Memory FormatSRAM
Write Cycle Time - WordPage
20nsMemory Interface

Рекомендации по подбору

Микросхема 7164L20YG — асинхронное статическое ОЗУ (SRAM) объемом 64 Кбит (8K×8) с временем доступа 20 нс. Корпус 28-SOJ и напряжение питания 4.5–5.5 В определяют её применение в 5-вольтовых системах, где требуется быстродействующий кэш или буфер с параллельным интерфейсом.

При подборе аналога необходимо учитывать объем и организацию памяти, время доступа, диапазон напряжений и тип корпуса. Не все SRAM с одинаковым объемом совместимы по распиновке или временным характеристикам.

  • Сверьте распиновку: у разных производителей назначение выводов может отличаться даже в одинаковом корпусе SOJ.
  • Согласуйте тайминги: замена на более медленную микросхему (с временем доступа >20 нс) нарушит временные требования схемы; более быстрая (15 нс) обычно допустима.
  • Учитывайте температурный диапазон: коммерческий (0..70°C) не взаимозаменяем с промышленным (-40..85°C) без проверки спецификаций устройства.
  • Проверьте напряжение питания: альтернативы должны работать строго в диапазоне 4.5–5.5 В; использование 3.3 В SRAM требует преобразования уровней.

Похожие товары