70V261L25PF (IC SRAM 256K PARALLEL 100TQFP)

70V261L25PF (IC SRAM 256K PARALLEL 100TQFP)
Доставка 70V261L25PF по России Модули памяти 70V261L25PF IDT, Integrated Device Technology Inc в нашем каталоге. В наличии 70V261L25PF с доставкой по всей России через транспортные компании. Срок от 7 дней. (IC SRAM 256K PARALLEL 100TQFP).

70V261L25PF характеристики

ПроизводительIDT
Integrated Device Technology IncСерия
-Part Status
ObsoleteУпаковка
TrayВид монтажа
Surface MountКорпус
100-LQFPТехнология
SRAM - Dual PortAsynchronous
Рабочая температура0°C ~ 70°C (TA)
Исполнение корпуса100-TQFP (14x14)
Base Part NumberIDT70V261
Напряжение питания3 V ~ 3.6 V
Тип памятиVolatile
Объем памяти256Kb (16K x 16)
Время доступа25ns
Memory FormatSRAM
Write Cycle Time - WordPage
25nsMemory Interface

Рекомендации по подбору

Микросхема 70V261L25PF — это асинхронная двухпортовая SRAM объёмом 256 Кбит (16K×16) с временем доступа 25 нс. Корпус 100-TQFP (14×14 мм), напряжение питания 3,0–3,6 В. Компонент снят с производства (Obsolete), поэтому для новых проектов или ремонта требуется подбор функционального аналога.

При замене критично проверить не только объём и организацию памяти, но и электрические параметры, а также совместимость по цоколёвке и логике управления. Ниже приведены основные критерии и риски.
  • Критерии выбора аналога: полное совпадение организации (16K×16), напряжения (3,0–3,6 В), времени доступа (≤25 нс) и типа памяти (dual-port asynchronous).
  • Проверка совместимости: сверяйте распиновку (100-TQFP) и сигналы управления (CS, R/W, OE, BUSY). Используйте базовый номер IDT70V261 для поиска кросс-референсов у других производителей.
  • Риски при замене: несоответствие быстродействия может вызвать сбои по таймингам; различие в логике арбитража портов — конфликты одновременного доступа. Всегда тестируйте замену на реальном режиме работы.
  • Учтите температурный диапазон (0…+70 °C). Для промышленных условий потребуется аналог с расширенным диапазоном (−40…+85 °C) и соответствующей маркировкой.

Похожие товары