+7(916) 225-43-02

70T651S15BC8 (IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA)

70T651S15BC8 (IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA)
Интегральные микросхемы Модули памяти
Доставка 70T651S15BC8 по России Модули памяти 70T651S15BC8 IDT, Integrated Device Technology Inc в нашем каталоге. В наличии 70T651S15BC8 с доставкой по всей России через транспортные компании. Срок от 7 дней. (IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA).

70T651S15BC8 характеристики

ПроизводительIDT
Integrated Device Technology IncСерия
-Part Status
ActiveУпаковка
Tape & Reel (TR)Вид монтажа
Surface MountКорпус
256-LBGAТехнология
SRAM - Dual PortAsynchronous
Рабочая температура0°C ~ 70°C (TA)
Исполнение корпуса256-CABGA (17x17)
Base Part NumberIDT70T651
Напряжение питания2.4 V ~ 2.6 V
Тип памятиVolatile
Объем памяти9Mb (256K x 36)
Время доступа15ns
Memory FormatSRAM
Write Cycle Time - WordPage
15nsMemory Interface

Рекомендации по подбору

Микросхема 70T651S15BC8 — асинхронная двухпортовая SRAM объемом 9 Мбит (256K×36) в корпусе 256-CABGA. Питание 2,4–2,6 В, время доступа 15 нс, рабочий диапазон 0…70 °C. Применяется в коммутаторах, маршрутизаторах и промышленной электронике, где требуется одновременный доступ к памяти из двух шин.

При подборе аналога важно проверить не только маркировку и производителя, но и электрические и временные параметры. Не все аналоги с тем же объемом и корпусом совместимы по расположению выводов и логике управления.

  • Сверяйте base part number (IDT70T651) и корпус: замена в корпусе 256-CABGA возможна только при совпадении цоколевки.
  • Проверяйте питание и скорость: допустимо использовать более быстрый вариант (меньшее время доступа), но не более медленный, если критичен цикл записи/чтения.
  • Учитывайте температурный диапазон: для промышленных условий нужен вариант с расширенным диапазоном, а не 0…70 °C.
  • Остерегайтесь подделок и перемаркированных партий: для ответственных узлов запрашивайте документацию и тестовые образцы.

Похожие товары