+7(916) 225-43-02

70261L25PF (IC SRAM 256K PARALLEL 100TQFP)

70261L25PF (IC SRAM 256K PARALLEL 100TQFP)
Интегральные микросхемы Модули памяти
Доставка 70261L25PF по России Модули памяти 70261L25PF IDT, Integrated Device Technology Inc в нашем каталоге. В наличии 70261L25PF с доставкой по всей России через транспортные компании. Срок от 7 дней. (IC SRAM 256K PARALLEL 100TQFP).

70261L25PF характеристики

ПроизводительIDT
Integrated Device Technology IncСерия
-Part Status
ObsoleteУпаковка
TrayВид монтажа
Surface MountКорпус
100-LQFPТехнология
SRAM - Dual PortAsynchronous
Рабочая температура0°C ~ 70°C (TA)
Исполнение корпуса100-TQFP (14x14)
Base Part NumberIDT7026
Напряжение питания4.5 V ~ 5.5 V
Тип памятиVolatile
Объем памяти256Kb (16K x 16)
Время доступа25ns
Memory FormatSRAM
Write Cycle Time - WordPage
25nsMemory Interface

Рекомендации по подбору

Микросхема 70261L25PF (IDT) представляет собой асинхронную двухпортовую SRAM объёмом 256 Кбит (16K × 16) с временем доступа 25 нс, в корпусе 100-TQFP (14×14 мм) и питанием 5 В. Применяется в системах, требующих параллельного обмена данными между двумя независимыми шинами.

Для выбора функционального аналога необходимо проверить совместимость по ключевым параметрам. Неправильная замена может вызвать сбои в работе устройства или повреждение компонента. Основные критерии:

  • Корпус и цоколёвка (100-TQFP). Убедитесь, что альтернатива имеет идентичный footprint и расположение выводов.
  • Время доступа (25 нс) и тип синхронизации (асинхронный). Замена на более медленную микросхему нарушит тайминги шины.
  • Напряжение питания (5 В ±10 %). Современные SRAM часто рассчитаны на 3,3 В или 1,8 В — их прямое подключение к 5 В недопустимо.
  • Архитектура памяти: двухпортовая асинхронная SRAM. Не заменяйте её на синхронную (SSRAM) или однопортовую без изменения схемы управления.

Похожие товары