+7(916) 225-43-02

7008S35G (IC SRAM 512K PARALLEL 84PGA)

7008S35G (IC SRAM 512K PARALLEL 84PGA)
Интегральные микросхемы Модули памяти
Доставка 7008S35G по России Модули памяти 7008S35G IDT, Integrated Device Technology Inc в нашем каталоге. В наличии 7008S35G с доставкой по всей России через транспортные компании. Срок от 7 дней. (IC SRAM 512K PARALLEL 84PGA).

7008S35G характеристики

ПроизводительIDT
Integrated Device Technology IncСерия
-Part Status
ActiveУпаковка
TrayВид монтажа
Through HoleКорпус
84-BPGAТехнология
SRAM - Dual PortAsynchronous
Рабочая температура0°C ~ 70°C (TA)
Исполнение корпуса84-PGA (27.94x27.94)
Base Part NumberIDT7008
Напряжение питания4.5 V ~ 5.5 V
Тип памятиVolatile
Объем памяти512Kb (64K x 8)
Время доступа35ns
Memory FormatSRAM
Write Cycle Time - WordPage
35nsMemory Interface

Рекомендации по подбору

Микросхема 7008S35G — асинхронное двухпортовое SRAM-устройство объёмом 512 Кбит (64K × 8) с временем доступа 35 нс. Работает от напряжения 4,5–5,5 В, корпус 84-PGA (Through Hole). Применяется в системах, где требуется одновременный доступ к данным от двух независимых шин. При выходе из строя или необходимости замены важно правильно подобрать аналог, чтобы избежать нарушений в работе оборудования.

Выбор замены требует проверки не только номинальных параметров, но и совместимости по выводам, электрическим и временным характеристикам. Даже незначительные отклонения могут привести к сбоям или повреждению схемы. Основные критерии приведены ниже.

  • Проверьте соответствие распиновки и корпуса: замена на другой форм-фактор потребует переработки печатной платы.
  • Убедитесь, что напряжение питания (Vcc) и уровни сигналов совпадают — отличие более 0,5 В недопустимо.
  • Сравните время доступа (35 нс): установка более медленной микросхемы нарушит временные требования контроллера, более быстрая может вызвать отражения сигналов.
  • Оцените потребляемую мощность и температурный диапазон: для работы в жёстких условиях аналог должен иметь соответствующий допуск.

Похожие товары