+7(916) 225-43-02

7006S25G (IC SRAM 128K PARALLEL 68PGA)

7006S25G (IC SRAM 128K PARALLEL 68PGA)
Интегральные микросхемы Модули памяти
Доставка 7006S25G по России Модули памяти 7006S25G IDT, Integrated Device Technology Inc в нашем каталоге. В наличии 7006S25G с доставкой по всей России через транспортные компании. Срок от 7 дней. (IC SRAM 128K PARALLEL 68PGA).

7006S25G характеристики

ПроизводительIDT
Integrated Device Technology IncСерия
-Part Status
ActiveУпаковка
TrayВид монтажа
Through HoleКорпус
68-BPGAТехнология
SRAM - Dual PortAsynchronous
Рабочая температура0°C ~ 70°C (TA)
Исполнение корпуса68-PGA (29.46x29.46)
Base Part NumberIDT7006
Напряжение питания4.5 V ~ 5.5 V
Тип памятиVolatile
Объем памяти128Kb (16K x 8)
Время доступа25ns
Memory FormatSRAM
Write Cycle Time - WordPage
25nsMemory Interface

Рекомендации по подбору

Микросхема 7006S25G (IDT) представляет собой асинхронную SRAM объёмом 128 Кбит (16K×8) с dual-port архитектурой, корпус 68-PGA, время доступа 25 нс, питание 4.5–5.5 В. Предназначена для систем, где требуется одновременный доступ к памяти из двух независимых шин – например, в многопроцессорных или управляющих устройствах.

При подборе аналога или замены ключевые критерии: время доступа (25 нс), напряжение питания (5 В ±10 %), корпус (68-PGA), асинхронный parallel интерфейс и dual-port функциональность. Основные риски – несовпадение распиновки или задержек, что может привести к нарушению временных диаграмм и потере данных. Рекомендуется сверять не только базовый номер (IDT7006), но и полные технические условия (datasheet).

  • При замене обязательно проверяйте соответствие времени доступа (tAA) – отклонение может вызвать ошибки чтения/записи в установленных циклах.
  • Убедитесь, что выбранный аналог поддерживает тот же температурный диапазон (0…70 °C) – для индустриальных сред требуется расширенная версия.
  • Сверьте порядок выводов (pin‑to‑pin) с оригиналом – разные производители могут отличаться даже в совместимых корпусах.
  • Оцените нагрузочную способность выходов и согласование по уровням (5‑В TTL/CMOS), чтобы избежать электрического рассогласования с периферией.

Похожие товары