1SS413,L3M (DIODE SCHOTTKY 20V 50MA FSC)

1SS413
| L3M характеристики | Производитель |
|---|---|
| Toshiba Semiconductor and Storage | Серия |
| - | Part Status |
| Active | Упаковка |
| Cut Tape (CT) | Вид монтажа |
| Surface Mount | Корпус |
| 2-SMD | Flat Lead |
| Исполнение корпуса | fSC |
| Тип диода | Schottky |
| Cреднее значение выпрямленного тока (Io) | 50mA |
| Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If | 550mV @ 50mA |
| Ток утечки при Обратном напряжении (Vr) | 500nA @ 20V |
| Максимальное обратное напряжение (Vr) | 20V |
| Скорость | Small Signal = |
| Рабочая температура pn-прехода | 125°C (Max) |
| Емкость @ Vr | F |
| 3.9pF @ 0V | 1MHz |
Рекомендации по подбору
Диод Шоттки 1SS413 (Toshiba) рассчитан на максимальное обратное напряжение 20 В и средний выпрямленный ток 50 мА. Прямое падение напряжения не превышает 550 мВ при токе 50 мА, обратный ток — до 500 нА при 20 В. Емкость перехода составляет 3,9 пФ при нулевом смещении, что позволяет использовать компонент в высокочастотных маломощных схемах: детекторах, смесителях, защитных цепях. Корпус 2-SMD Flat Lead подходит для поверхностного монтажа.
При подборе аналога в первую очередь сравнивают предельные электрические параметры: обратное напряжение и прямой ток должны быть не ниже исходных. Допустимо превышение по току и напряжению, но важно проверить, не ухудшится ли прямое падение или быстродействие. Обратный ток и ёмкость влияют на потери и частотные свойства — для высокочастотных схем их значения должны быть близкими к оригинальным. Также обязательно совпадение типа корпуса и размеров выводов, иначе потребуется переработка печатной платы.
- Основные риски при замене: превышение обратного напряжения или тока ведёт к пробою или перегреву; меньшая ёмкость может изменить форму сигнала; разница в прямом падении напряжения вызывает смещение рабочей точки в схемах смещения.
- Перед установкой аналога проверьте совместимость по температурному диапазону (-40…+125°C) и технологии монтажа — для бессвинцовой пайки убедитесь в соответствии термостойкости.
- Для высокочастотных приложений (выше 100 кГц) критичны динамические характеристики, поэтому рекомендуется выбирать диоды с временем обратного восстановления не более 10 нс или теми же параметрами, что и у оригинала.
- Если аналог имеет больший обратный ток, возрастает потребление и нагрев в дежурном режиме — это необходимо учитывать в батарейных устройствах.


