1SS294,LF (DIODE SCHOTTKY 40V 100MA SMINI)
1SS294
| LF характеристики | Производитель |
|---|---|
| Toshiba Semiconductor and Storage | Серия |
| - | Part Status |
| Discontinued at Digi-Key | Упаковка |
| Cut Tape (CT) | Вид монтажа |
| Surface Mount | Корпус |
| TO-236-3 | SC-59 |
| SOT-23-3 | Исполнение корпуса |
| S-Mini | Base Part Number |
| 1SS294 | Тип диода |
| Schottky | Cреднее значение выпрямленного тока (Io) |
| 100mA | Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If |
| 600mV @ 100mA | Ток утечки при Обратном напряжении (Vr) |
| 5µA @ 40V | Максимальное обратное напряжение (Vr) |
| 40V | Скорость |
| Small Signal = | Рабочая температура pn-прехода |
| 125°C (Max) | Емкость @ Vr |
| F | 25pF @ 0V |
Рекомендации по подбору
При подборе аналога для 1SS294,LF (диод Шоттки 40 В, 100 мА, корпус S-Mini) ключевыми параметрами являются максимальное обратное напряжение (VRRM ≥ 40 В), средний выпрямленный ток (IO ≥ 100 мА) и прямое падение напряжения (типовое 0,6 В при 100 мА). Корпус должен быть совместимым по посадке и тепловому рассеянию — подойдут SC-59, SOT-23-3. Особое внимание уделите ёмкости перехода (25 пФ при 0 В): она критична для высокочастотных схем.
Перед заменой проверьте ток утечки (≤ 5 мкА при 40 В) и допустимую температуру перехода (до 125 °C). Если аналог имеет большее прямое напряжение, возрастут потери; меньшая ёмкость может улучшить быстродействие, но выше риск паразитных колебаний. Убедитесь, что новый диод выдерживает пиковые импульсные токи в вашей нагрузке.
- Превышение VRRM хотя бы на 20% от номинала — обязательно, иначе пробой при выбросах.
- Замена на диод с более высоким прямым напряжением (например, 0,8 В) увеличит тепловыделение — проверьте мощность.
- Несоответствие ёмкости может исказить форму сигнала в импульсных или RF-цепях.
- Игнорирование типа корпуса (например, SOT-23 вместо S-Mini) потребует изменения топологии платы.