1N6630US (DIODE GEN PURP 900V 1.4A D5B)
Доставка 1N6630US по России Диоды — выпрямители — одиночные 1N6630US Microsemi Corporation в нашем каталоге. В наличии 1N6630US с доставкой по всей России через транспортные компании. Срок от 7 дней. (DIODE GEN PURP 900V 1.4A D5B).
1N6630US характеристики
| Производитель | Microsemi Corporation |
|---|---|
| Серия | - |
| Part Status | Active |
| Упаковка | Bulk |
| Вид монтажа | Surface Mount |
| Корпус | E-MELF |
| Исполнение корпуса | D-5B |
| Тип диода | Standard |
| Cреднее значение выпрямленного тока (Io) | 1.4A |
| Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If | 1.7V @ 3A |
| Ток утечки при Обратном напряжении (Vr) | 4µA @ 100V |
| Максимальное обратное напряжение (Vr) | 900V |
| Скорость | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Время восстановления запорного слоя (trr) | 50ns |
| Рабочая температура pn-прехода | -65°C ~ 150°C |
| Емкость @ Vr | F |
Как подобрать аналог и проверить совместимость
Перед заказом сравните параметры этой позиции с требованиями вашей схемы и посадочного места.
Что важно проверить:
- Номинал, допуск и рабочий диапазон температур.
- Ток/напряжение с запасом под реальную нагрузку.
- Тип корпуса и габариты для корректного монтажа.
- Условия применения (частота, нагрев, режим работы).
Нужен аналог для 1N6630US? Отправьте артикул и требования через форму ниже — подберем совместимую замену.
Похожие товары
EGP10B-E3/73 (DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL)
Категория:
Дискретные полупроводники
Заказать
SIDC56D120F6X1SA1 (DIODE GEN PURP 1.2KV 75A WAFER)
Категория:
Дискретные полупроводники
Заказать
LSM535J/TR13 (DIODE SCHOTTKY 35V 5A DO214AB)
Категория:
Дискретные полупроводники
Заказать
PMEG6010ER,115 (DIODE SCHOTTKY 60V 1A SOD123W)
Категория:
Дискретные полупроводники
111.60
₽
Заказать