+7(916) 225-43-02

1N5418US (DIODE GEN PURP 400V 3A D5B)

1N5418US (DIODE GEN PURP 400V 3A D5B)
Дискретные полупроводники Диоды — выпрямители — одиночные
Доставка 1N5418US по России Диоды — выпрямители — одиночные 1N5418US Microsemi Corporation в нашем каталоге. В наличии 1N5418US с доставкой по всей России через транспортные компании. Цена от 2437.20 руб. Срок поставки уточняйте. (DIODE GEN PURP 400V 3A D5B).

1N5418US характеристики

ПроизводительMicrosemi Corporation
Серия-
Part StatusActive
УпаковкаBulk
Вид монтажаSurface Mount
КорпусE-MELF
Исполнение корпусаD-5B
Тип диодаStandard
Cреднее значение выпрямленного тока (Io)3A
Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If1.5V @ 9A
Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)1µA @ 400V
Максимальное обратное напряжение (Vr)400V
СкоростьFast Recovery = 200mA (Io)
Время восстановления запорного слоя (trr)150ns
Рабочая температура pn-прехода-65°C ~ 175°C
Емкость @ VrF

Рекомендации по подбору

При подборе аналога для 1N5418US (400 В, 3 А, fast recovery 150 нс, корпус D5B) в первую очередь оценивают максимальное обратное напряжение, средний выпрямленный ток и скорость восстановления. Даже незначительное отличие в этих параметрах может привести к перегреву или пробою в импульсных режимах.

Обязательно сверяйте прямое падение напряжения при рабочем токе, ёмкость перехода и допустимый диапазон температур. Обратите внимание на корпус: E-MELF (D5B) требует точного соответствия посадочного места и тепловых характеристик. Замена на диод в другой упаковке потребует пересмотра топологии платы.

  • Превышение обратного напряжения аналога ниже 400 В — критично для цепей с сетевыми помехами.
  • Увеличение времени восстановления (trr) свыше 150 нс вызывает рост потерь переключения в высокочастотных преобразователях.
  • Разница в прямом падении напряжения более 10% может изменить токораспределение в параллельных цепях.
  • Несовпадение корпуса или теплового сопротивления повышает риск перегрева при номинальном токе.

Похожие товары