+7(916) 225-43-02

1N5407GHB0G (DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD)

1N5407GHB0G (DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD)
Дискретные полупроводники Диоды — выпрямители — одиночные
Доставка 1N5407GHB0G по России Диоды — выпрямители — одиночные 1N5407GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation в нашем каталоге. В наличии 1N5407GHB0G с доставкой по всей России через транспортные компании. Срок от 7 дней. (DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD).

1N5407GHB0G характеристики

ПроизводительTaiwan Semiconductor Corporation
СерияAutomotive
AEC-Q101Part Status
ActiveУпаковка
BulkВид монтажа
Through HoleКорпус
DO-201ADAxial
Исполнение корпусаDO-201AD
Тип диодаStandard
Cреднее значение выпрямленного тока (Io)3A
Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If1V @ 3A
Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)5µA @ 800V
Максимальное обратное напряжение (Vr)800V
СкоростьStandard Recovery >500ns
> 200mA (Io)Рабочая температура pn-прехода
-55°C ~ 150°CЕмкость @ Vr
F25pF @ 4V

Как подобрать аналог и проверить совместимость

Перед заказом сравните параметры этой позиции с требованиями вашей схемы и посадочного места.

Что важно проверить:

  • Номинал, допуск и рабочий диапазон температур.
  • Ток/напряжение с запасом под реальную нагрузку.
  • Тип корпуса и габариты для корректного монтажа.
  • Условия применения (частота, нагрев, режим работы).

Нужен аналог для 1N5407GHB0G? Отправьте артикул и требования через форму ниже — подберем совместимую замену.

Похожие товары