1N4001GL-T (DIODE GEN PURP 50V 1A DO41)

Доставка 1N4001GL-T по России Диоды — выпрямители — одиночные 1N4001GL-T Diodes Incorporated в нашем каталоге. В наличии 1N4001GL-T с доставкой по всей России через транспортные компании. Срок от 7 дней. (DIODE GEN PURP 50V 1A DO41).
1N4001GL-T характеристики
| Производитель | Diodes Incorporated |
|---|---|
| Серия | - |
| Part Status | Obsolete |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Корпус | DO-204AL |
| DO-41 | Axial |
| Исполнение корпуса | DO-41 |
| Base Part Number | 1N4001 |
| Тип диода | Standard |
| Cреднее значение выпрямленного тока (Io) | 1A |
| Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If | 1V @ 1A |
| Ток утечки при Обратном напряжении (Vr) | 5µA @ 50V |
| Максимальное обратное напряжение (Vr) | 50V |
| Скорость | Standard Recovery >500ns |
| > 200mA (Io) | Время восстановления запорного слоя (trr) |
| 2µs | Рабочая температура pn-прехода |
| -65°C ~ 175°C | Емкость @ Vr |
| F | 8pF @ 4V |
Рекомендации по подбору
Диод 1N4001GL-T (Diodes Incorporated) предназначен для выпрямления 50 В и тока до 1 А в корпусе DO-41. Поскольку компонент имеет статус Obsolete, при проектировании или ремонте необходимо подбирать совместимый аналог. Замена должна учитывать не только основные электрические характеристики, но и тепловые режимы, утечки и быстродействие.
При выборе аналога проверьте следующие параметры:
- Максимальное обратное напряжение (VRRM) — не менее 50 В, лучше с запасом 100 В.
- Средний выпрямленный ток (IO) — 1 А при температуре корпуса до 75 °C.
- Прямое падение напряжения (VF) — не более 1 В при 1 А, иначе возрастут потери.
- Время восстановления (trr) — для стандартных диодов 2 мкс, но в низкочастотных цепях допустимо до 5 мкс.
Похожие товары
SBG1030CT-T-F (DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V D2PAK)
Категория:
Дискретные полупроводники
Заказать1PS79SB31,315 (DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD523)
Категория:
Дискретные полупроводники
68.40₽
ЗаказатьUG6KB40TB (BRIDGE RECT 1PHASE 400V 6A D3K)
Категория:
Дискретные полупроводники
ЗаказатьHTZ280H32K (DIODE MODULE 32KV 4.7A)
Категория:
Дискретные полупроводники
Заказать